[发明专利]有机场致发光显示装置有效
申请号: | 201410415422.5 | 申请日: | 2014-08-21 |
公开(公告)号: | CN104425555B | 公开(公告)日: | 2017-08-04 |
发明(设计)人: | 古家政光;佐藤敏浩;宫本光秀 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人: | 邸万杰,季向冈 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 机场 发光 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及有机场致发光显示装置。
背景技术
近年来,采用被称为有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode)的自发光体的图像显示装置(以下称作“有机EL(Electro-Luminescent:场致发光)显示装置”。)已得到实际应用。该有机EL显示装置与现有液晶显示装置相比,由于采用了自发光体,因此不仅在辨识性、响应速度方面优越,而且不需要如背光那样的辅助照明装置,因此能够进一步薄型化。
在这种有机EL显示装置中,作为进行彩色显示的方法有:发光元件向每个像素分别发出R(红)G(绿)B(蓝)三色光的方法、发光元件发出白色光,各像素的彩色滤光片使RGB三色各自的波长区域透射的方法、及将他们组合的方法等。
日本特开2001-312223号公报对于为了将有机EL材料形成均匀的膜厚,用有机树脂材料填埋电极孔而形成保护部的技术进行了公开。日本特开2003-091246号公报关于与日本特开2001-312223号公报同样的技术问题公开了:通过用绝缘体层或导电体层将接触孔部分覆盖,并使其变平缓而实现有机EL层的膜厚的均匀化。日本特开2009-301058号公报对于鉴于TFT及形成有配线的区域不能透射光的问题,而在接触孔中埋入导电体,使其与作为电极的金属膜接触的技术进行了公开。
发明内容
在有机EL显示装置中,在各像素中,形成有用于连接各像素的TFT(Thin Film Transistor:薄膜晶体管)和发光元件的下部电极的接触孔,但接触孔阶差(高低差)较大,通常不能形成发光元件。因此,发光区域为除接触孔以外的区域,所以会使各像素中的发光面积下降。在专利文献3中公开了一种扩大了发光面积的例子,但由于是利用在丙烯酸树脂中分散有银颗粒的各向异性导电膜作为导通装置,因此有可能电连接不充分。
本发明是鉴于上述情况而做出的,目的在于,提供一种电连接充分、扩大了各像素中的发光面积的有机EL显示装置。
本发明的有机场致发光显示装置,包括:薄膜晶体管,其配置于显示区域内的配置成矩阵状的每个像素中;形成在上述薄膜晶体管上的由有机绝缘材料构成的平坦化膜;经由形成于上述平坦化膜内的接触孔与上述薄膜晶体管的漏极和源极之任一者连接的由导电材料构成的接触电极;在上述接触电极上填埋上述接触孔而配置的由有机绝缘材料构成的接触孔平坦化膜;形成在上述接触电极上并形成在上述接触孔平坦化膜上的下部电极,该下部电极电连接到上述接触电极上;在上述下部电极上以覆盖上述显示区域整体的方式配置并由包含发光的发光层的多个有机材料的层构成的有机层;和形成在上述有机层上且以覆盖上述显示区域整体的方式配置的由导电材料构成的上部电极。
另外,也可以在本发明的有机EL显示装置中,上述接触孔平坦化膜与位于上述接触孔的外侧的有机材料接触。
另外,也可以在本发明的有机EL显示装置中,上述接触孔平坦化膜与上述有机平坦化膜接触。
另外,也可以在本发明的有机EL显示装置中,还包括:覆盖上述下部电极的端部且配置于像素间的由有机绝缘材料构成的像素分离膜,上述接触孔平坦化膜与上述像素分离膜接触。
另外,也可以在本发明的有机EL显示装置中,上述下部电极具有:形成在上述接触孔平坦化膜上的反射由上述发光层发出的光的反射膜;和形成在上述反射板上的由透明导电材料构成的透明电极膜。
另外,也可以在本发明的有机EL显示装置中,上述接触孔与相邻的像素的接触孔结合,上述接触孔平坦化膜与上述相邻的像素的接触孔平坦化膜一体化。
另外,也可以在本发明的有机EL显示装置中,还包括:沿着形成有上述被结合的上述接触孔的像素间延伸的控制信号线,上述控制信号线配置于不与上述平坦化膜相邻接的位置。
附图说明
图1是概略地表示本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的图;
图2是表示图1的有机EL面板的结构的图;
图3是表示图2所示的各子像素中的接触孔的位置的图;
图4是表示图2的子像素中的一个的平面图,且表示发光区域及作为遮光区域的黑矩阵;
图5是表示图4的V-V线的截面的图,且表示子像素的结构;
图6是以与图5相同的视野表示第一实施方式的第一变形例的图;
图7是表示图6的接触电极的成膜形状的平面图;
图8是表示图7的接触电极的成膜形状不同的例子的平面图;
图9是表示图7的接触电极的成膜形状不同的第二例的平面图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的