[发明专利]半导体器件的光刻方法、闪存器件的制作方法及闪存器件有效
| 申请号： | 201410415519.6 | 申请日： | 2014-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN105448839B | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 李天慧;张海洋;舒强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/28;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 光刻 方法 闪存 器件 制作方法 | ||
1.一种半导体器件的光刻方法，所述半导体器件包括待刻蚀区和非刻蚀区，其特征在于，所述光刻方法包括：
在所述半导体器件上形成掩膜层；
在位于所述非刻蚀区的掩膜上形成经离子注入处理的第一光阻胶层；且所述离子注入处理的步骤中，注入离子为磷离子或硼离子
在所述第一光阻胶层和位于所述待刻蚀区的掩膜上形成第二光阻胶层；
对位于所述待刻蚀区的第二光阻胶层进行曝光并刻蚀所述待刻蚀区。
2.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，形成所述第一光阻胶层的步骤包括：
在所述掩膜层上形成第一光阻胶预备层；
对所述第一光阻胶预备层进行离子注入处理，形成第一光阻胶过渡层；
去除位于所述待刻蚀区上的所述第一光阻胶过渡层，形成所述第一光阻胶层。
3.根据权利要求1或2所述的光刻方法，其特征在于，所述离子注入处理的步骤中，注入离子能量为15keV～50keV，注入离子浓度为1E+13atoms/cm3～1E+16atoms/cm3。
4.根据权利要求1或2所述的光刻方法，其特征在于，
在形成所述第一光阻胶层的步骤中，形成厚度为0.2～3μm的所述第一光阻胶层；
在形成所述第二光阻胶层的步骤中，形成厚度为50～200nm的所述第二光阻胶层。
5.根据权利要求1或2所述的光刻方法，其特征在于，形成所述第二光阻胶层的步骤之前，对所述第一光阻胶层进行烘烤。
6.根据权利要求5所述的光刻方法，其特征在于，所述烘烤的步骤中，所述烘烤的温度为100～300℃，所述烘烤的时间为1～3min。
7.根据权利要求1或2所述的光刻方法，其特征在于，所述掩膜层为抗反射涂层或无定型碳层。
8.一种闪存器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
将衬底划分为核心存储区和逻辑电路区；
在所述核心存储区上形成第一栅极，并在所述逻辑电路区上形成第二栅极预备层，所述第一栅极的上表面高于所述第二栅极预备层的上表面；
对所述第二栅极预备层进行光刻及刻蚀以形成第二栅极，所述光刻的方法为权利要求1至7中任一项所述的光刻方法。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述第一栅极包括浮栅和位于所述浮栅之上的控制栅，所述第二栅极为逻辑栅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
