[发明专利]接触槽的清洁工艺和接触层的形成方法有效
| 申请号： | 201410415548.2 | 申请日： | 2014-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN105448652B | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 张琴;林艺辉;刘焕新 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 艾春慧,吴贵明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接触 清洁 工艺 形成 方法 | ||
1.一种接触槽的清洁工艺，其特征在于，所述清洁工艺包括如下步骤：
步骤S1：采用SC1清洗液清洁所述接触槽的底部表面，移除所述底部表面的颗粒；
步骤S2：在所述步骤S1后，采用臭氧化去离子水清洁所述底部表面，氧化所述底部表面并在所述底部表面形成氧化物使所述底部表面趋于平滑；
步骤S3：在所述步骤S2后，采用SiCoNi预清工艺清洁所述底部表面，移除在所述步骤S2中形成的所述氧化物。
2.根据权利要求1所述的清洁工艺，其特征在于，在所述步骤S1中，所述SC1清洗液中各成分的体积比为NH4OH：H2O2：H2O＝1：1～4：50～200。
3.根据权利要求1所述的清洁工艺，其特征在于，在所述步骤S1中，采用的清洗温度为室温23℃至25℃。
4.根据权利要求1所述的清洁工艺，其特征在于，在所述步骤S1中，清洗持续的时间为30s至120s。
5.根据权利要求1所述的清洁工艺，其特征在于，在所述步骤S2中，所述臭氧化去离子水中O3的浓度为10ppm至80ppm。
6.根据权利要求1所述的清洁工艺，其特征在于，在所述步骤S2中，采用的清洗温度为室温23℃至25℃。
7.根据权利要求1所述的清洁工艺，其特征在于，在所述步骤S2中，清洗持续的时间为30s至120s。
8.根据权利要求1所述的清洁工艺，其特征在于，在所述步骤S3中，所述氧化物的移除量为
9.一种接触层的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括如下步骤：
步骤S20：对层间介质进行刻蚀以形成接触槽；
步骤S40：在所述步骤S20后，采用根据权利要求1至8中任一项所述接触槽的清洁工艺对所述接触槽的底部表面进行清洁；
步骤S60：在所述步骤S40后，在所述接触槽的底部表面上沉积第一金属并形成金属硅化物；
步骤S80：在所述步骤S60后，在所述接触槽内沉积第二金属以形成接触层。
10.根据权利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述步骤S60包括：
子步骤S62：在所述接触槽的底部表面上沉积所述第一金属；
子步骤S64：进行热退火，形成金属硅化物；
子步骤S66：去除未反应的所述第一金属。
11.根据权利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述第一金属为NiPt或W。
12.根据权利要求10所述的形成方法，其特征在于，
所述子步骤S62中沉积的所述第一金属为NiPt；
所述子步骤S64包括：分步骤S641，进行一次热退火以生成Ni2PtSi；分步骤S643，在所述分步骤S641后进行二次热退火以生成NiPtSi金属硅化物；
所述子步骤S66在所述分步骤S641和所述分步骤S643之间进行。
13.根据权利要求12所述的形成方法，其特征在于，
所述一次热退火为低温热退火，低温热退火的温度为230℃至300℃，退火时间为20s至40s；
所述二次热退火为高温热退火，高温热退火的温度为450℃至600℃，退火时间为20s至40s，或者所述二次热退火采用激光退火，激光退火的温度为800℃至900℃。
14.根据权利要求10所述的形成方法，其特征在于，所述子步骤S66中，采用硫酸和双氧水的混合物对所述第一金属进行湿法剥离。
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