[发明专利]氧化物半导体TFT基板的制作方法及其结构

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种氧化物半导体TFT基板的制作方法及其结构。

背景技术

平板显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平板显示装置主要包括液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)及有机电致发光显示装置(Organic Light Emitting Display，OLED)。

基于有机发光二极管的OLED显示技术同成熟的LCD相比，OLED是主动发光的显示器，具有自发光、高对比度、宽视角(达170°)、快速响应、高发光效率、低操作电压(3～10V)、超轻薄(厚度小于2mm)等优势，具有更优异的彩色显示画质、更宽广的观看范围和更大的设计灵活性。

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是平板显示装置的重要组成部分，可形成在玻璃基板或塑料基板上，通常作为开光装置和驱动装置用在诸如LCD、OLED、电泳显示装置(EPD)上。

氧化物半导体TFT技术是当前的热门技术。由于氧化物半导体的载流子迁移率是非晶硅半导体的20-30倍，具有较高的电子迁移率，可以大大提高TFT对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，并能够提高像素的行扫描速率，使得制作超高分辨率的平板显示装置成为可能。相比低温多晶硅(LTPS)，氧化物半导体制程简单，与非晶硅制程相容性较高，可以应用于LCD、OLED、柔性显示(Flexible)等领域，且与高世代生产线兼容，可应用于大中小尺寸显示，具有良好的应用发展前景。

现有的氧化物半导体TFT基板结构中，氧化物半导体层一般未经任何处理直接与源/漏极接触，二者之间形成电性连接，但二者之间的欧姆接触电阻较大，导致平板显示装置的驱动电压较高、功耗较高。

节能降耗是当今社会发展的需要，努力开发低功耗的显示装置成为了各个显示装置生产厂家的重要目标。

发明内容

本发明的目的在于提供一种氧化物半导体TFT基板的制作方法，能够改善氧化物半导体层与源/漏极之间的欧姆接触，减小二者之间的欧姆接触电阻，降低平板显示装置的驱动电压，从而有效降低平板显示装置的功耗。

本发明的目的还在于提供一种氧化物半导体TFT基板结构，其氧化物半导体层与源/漏极之间的欧姆接触电阻较小，使得平板显示装置的驱动电压较低、功耗较低。

为实现上述目的，本发明首先提供一种氧化物半导体TFT基板的制作方法，包括如下步骤：

步骤1、提供一基板，在该基板上沉积并图案化第一金属层，形成栅极；

步骤2、在所述栅极与基板上沉积栅极绝缘层；

步骤3、在所述栅极绝缘层上沉积并图案化氧化物半导体层，形成位于所述栅极正上方的岛状氧化物半导体层；

步骤4、在所述岛状氧化物半导体层与栅极绝缘层上依次沉积蚀刻阻挡层、光阻层，之后对光阻层进行黄光制程，形成位于所述岛状氧化物半导体层正上方的岛状光阻层，再蚀刻所述蚀刻阻挡层，形成位于所述岛状氧化物半导体层上的岛状蚀刻阻挡层；

所述岛状蚀刻阻挡层的宽度小于所述氧化物半导体层的宽度；所述岛状蚀刻阻挡层覆盖岛状氧化物半导体层的中间部而暴露出氧化物半岛体的两侧部；

步骤5、对所述岛状氧化物半导体层的两侧部进行离子注入处理；

步骤6、将所述岛状光阻层从岛状蚀刻阻挡层上剥离；

步骤7、在所述岛状蚀刻阻挡层与栅极绝缘层上沉积并图案化第二金属层，形成源/漏极；

所述源/漏极与所述氧化物半导体层的两侧部接触，形成电性连接；

步骤8、在所述源/漏极与蚀刻阻挡层上沉积并图案化保护层，形成位于所述岛状氧化物半导体层一侧的通孔；

步骤9、在所述保护层上沉积并图案化像素电极层；

所述像素电极层填充所述通孔与所述源/漏极接触，形成电性连接；

步骤10、对步骤9得到的基板进行退火处理。

所述图案化通过黄光与蚀刻制程实现。

所述岛状氧化物半导体层为IGZO半导体层。

所述离子注入处理通过氢气等离子体处理的方式实现。

所述像素电极层的材料为ITO或IZO。

所述保护层的材料为SiO₂或SiON。

所述基板为玻璃基板。