[发明专利]一种模拟可控硅阀的低压物理阀模型

权利要求书

1.一种模拟可控硅阀的低压物理阀模型，其特征在于：所述阀模型包括阀模块、用于检测阀模块电流值和极性的电流传感器检测电路、用于检测阀模块电压值和极性的电压传感器检测电路和用于控制所述阀模块导通的触发控制电路。

2.如权利要求1所述的一种模拟可控硅阀的低压物理阀模型，其特征在于：所述阀模块和触发控制电路均分别与所述电流传感器检测电路和电压传感器检测电路连接；所述阀模块和触发控制电路连接。

3.如权利要求1或2所述的一种模拟可控硅阀的低压物理阀模型，其特征在于：所述阀模块包括两个反向串联的场效应管，两个所述场效应管的源极分别连接所述电流传感器检测电路；两个所述场效应管的漏极分别连接所述电压传感器检测电路；两个所述场效应管的栅极分别连接所述触发控制电路。

4.如权利要求3所述的一种模拟可控硅阀的低压物理阀模型，其特征在于：每个所述场效应管反向并联稳压二极管；所述阀模块并联缓冲器。

5.如权利要求4所述的一种模拟可控硅阀的低压物理阀模型，其特征在于：所述缓冲器包括串联的电阻和电容；所述缓冲器的两端分别与所述阀模块对应的两个漏极连接。

6.如权利要求3所述的一种模拟可控硅阀的低压物理阀模型，其特征在于：所述电流传感器检测电路包括两个连接的比较器1；其中一个比较器1的正极输入端与另一个比较器1的负极输入端连接；相互连接的正负极输入端与非线性放大器1的输出端连接；所述非线性放大器1的输入端通过电阻相互连接且所述输入端分别与对应的两个所述场效应管连接；所述其中一个比较器1的负极输入端和另一个比较器1的正极输入端分别通过电阻接地。

7.如权利要求6所述的一种模拟可控硅阀的低压物理阀模型，其特征在于：所述电压传感器检测电路包括两个连接的比较器2；其中一个比较器2的正极输入端与另一个比较器2的负极输入端连接；相互连接的正负极输入端与非线性放大器2的输出端连接；所述非线性放大器2的输入端与所述阀模块连接；所述其中一个比较器2的负极输入端和另一个比较器2的正极输入端分别通过电阻接地；每个所述比较器2的输出端分别与1个光耦合器1连接。

8.如权利要求7所述的一种模拟可控硅阀的低压物理阀模型，其特征在于：所述触发控制电路包括2组依次连接的与门、脉冲展宽电路和或门1；所述2组中的或门1通过或门2与缓冲器连接；所述缓冲器的输出端与所述场效应管的栅极连接；每个所述与门的输入端分别与一个所述光耦合器1和一个用于将外部触发信号转换的光耦合器2连接；每个所述或门1分别与一个所述比较器1的输出端连接；所述或门2与每个所述比较器1的接地端连接；每个所述光耦合器1均与外部控制所述阀模块导通信号转换的光耦合器3连接。

9.如权利要求1所述的一种模拟可控硅阀的低压物理阀模型，其特征在于：所述电压传感器检测电路、电流传感器检测电路和触发控制电路通过电源电路提供电源。

10.如权利要求8所述的一种模拟可控硅阀的低压物理阀模型，其特征在于：当所述场效应三极管两端电压高于设置值，且同时接收到触发脉冲电压高于设置值时，所述与门的两个输入为高电平，其输出为高电平，则场效应管立即导通；当触发脉冲电压消失后，所述电流传感器检测电路检测流过场效应管的电流，当电流不为零时，所述或门1的一个输入为高电平，则输出为高电平，场效应管持续导通不被中断；当导通电流低于零时，场效应管将会被中断；如果场效应三极管电流过零后，场效应三极管两端反向电压作用时间小于400μs，由于脉冲展宽为400μs，则场效应三极管在正向电压作用下即使没有触发脉冲的情况下再次导通。

11.如权利要求1或2所述的一种模拟可控硅阀的低压物理阀模型，其特征在于：所述低压物理阀模型设置在低压物理阀板上。