[发明专利]使用激光定向自组装嵌段共聚物的方法有效
申请号: | 201410417661.4 | 申请日: | 2014-08-22 |
公开(公告)号: | CN105446074B | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
发明(设计)人: | 刘洋;刘畅 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00;C08L53/00;G03F7/20 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 激光 定向 组装 共聚物 方法 | ||
1.一种使用激光定向自组装嵌段共聚物的方法,其特征在于,所述方法至少包括:
提供一表面沉积有嵌段共聚物层的衬底,其中,所述嵌段共聚物包括两种不同的嵌段分子;
通过光罩将激光照射在所述嵌段共聚物的表面,形成光强分布,光强最强处为势能的最低点,所述嵌段共聚物中与激光频率产生共振的嵌段分子则被势能的最低点俘获,从而引导两种不同的嵌段分子进行周期性有序排列,形成定向的自组装图案。
2.根据权利要求1所述的使用激光定向自组装嵌段共聚物的方法,其特征在于:所述激光为窄带激光光束。
3.根据权利要求2所述的使用激光定向自组装嵌段共聚物的方法,其特征在于:所述激光强度大于正常光刻胶曝光的强度。
4.根据权利要求1所述的使用激光定向自组装嵌段共聚物的方法,其特征在于:激光照射在嵌段共聚物层的表面后,整个系统的温度控制在300~400K范围内。
5.根据权利要求1所述的使用激光定向自组装嵌段共聚物的方法,其特征在于:与激光频率产生共振的嵌段分子中会产生偶极力,使该嵌段分子由非极性转变为极性。
6.根据权利要求1所述的使用激光定向自组装嵌段共聚物的方法,其特征在于:所述嵌段分子是否与激光产生共振,与失谐量有关;失谐量越小,激光与嵌段分子越容易发生共振,势能对嵌段分子的吸附力越强;失谐量越大,激光与嵌段分子越难发生共振,势能对嵌段分子的吸附力越弱。
7.根据权利要求1所述的使用激光定向自组装嵌段共聚物的方法,其特征在于:在所述衬底上沉积所述嵌段共聚物层之前,还包括在所述衬底表面沉积底部抗反射层的步骤。
8.根据权利要求1所述的使用激光定向自组装嵌段共聚物的方法,其特征在于:所述衬底为硅衬底。
9.根据权利要求1所述的使用激光定向自组装嵌段共聚物的方法,其特征在于:所述嵌段共聚物为PS-b-PMMA。
10.根据权利要求1所述的使用激光定向自组装嵌段共聚物的方法,其特征在于:所述光罩和衬底之间还设置有用于聚焦的棱镜。
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