[发明专利]存储单元可靠性的测试方法

权利要求书

1.一种存储单元可靠性的测试方法，所述存储单元具有开启擦除状态的第一阈值电压和开启编程状态的第二阈值电压，其特征在于，所述存储单元可靠性的测试方法至少包括：

预先设定一感知电压；其中，所述感知电压配置为大于所述第一阈值电压、小于所述第二阈值电压，且使所述存储单元处于擦除状态和编程状态之间的中间状态的标准电压；

对所述存储单元进行擦除或编程操作，读取所述存储单元的当前电压；

比较所述当前电压和所述感知电压，在所述当前电压大于所述感知电压、小于所述第二阈值电压时，所述存储单元的当前工作状态为编程状态；在所述当前电压小于所述感知电压、大于所述第一阈值电压时，所述存储单元的当前工作状态为擦除状态；

判断所述存储单元的当前工作状态与其所受的操作是否相符；若是，判定所述存储单元正常工作；若否，则判定所述存储单元失效。

2.根据权利要求1所述的存储单元可靠性的测试方法，其特征在于，所述存储单元可靠性的测试方法还包括：比较所述当前电压和所述感知电压，在所述当前电压小于所述感知电压、且小于所述第一阈值电压时，或所述当前电压大于所述感知电压、且大于所述第二阈值电压时，直接判定所述存储单元失效。

3.根据权利要求1所述的存储单元可靠性的测试方法，其特征在于，所述感知电压适于通过测试N个已有存储单元处于擦除状态和编程状态之间的中间状态时的电压均值来进行设定，其中，N为自然数；

其中，所述已有存储单元处于擦除状态和编程状态之间的中间状态时，如果对所述已有存储单元进行擦除操作，所述已有存储单元中产生漏电流，如果对所述已有存储单元进行编程操作，所述已有存储单元中无漏电流；

其中，所述已有存储单元为具有高可靠性的与所述存储单元采用相同工艺制备的以往生产的存储单元良品。

4.根据权利要求1所述的存储单元可靠性的测试方法，其特征在于，所述存储单元可靠性的测试方法还包括：在对所述存储单元进行擦除或编程操作之后，如果判定所述存储单元正常工作，则进一步测试所述存储单元可靠性，其测试方法至少包括：

预先分别设定所述存储单元处于擦除状态和编程状态时的漏电流分布范围；

对所述存储单元进行擦除或编程操作，读取所述存储单元的当前漏电流，并判断所述当前漏电流是否在所述存储单元处于相应状态时的漏电流分布范围内；若是，所述存储单元正常工作；若否，则所述存储单元失效。

5.根据权利要求4所述的存储单元可靠性的测试方法，其特征在于，所述存储单元处于擦除状态和编程状态时的漏电流分布范围，适于通过分别测试N个已有存储单元处于擦除状态和编程状态时的漏电流分布范围均值来进行设定；其中，N为自然数，所述已有存储单元为具有高可靠性的与所述存储单元采用相同工艺制备的以往生产的存储单元良品。

6.根据权利要求1-5任一项所述的存储单元可靠性的测试方法，其特征在于，对所述存储单元进行编程操作时，向所述存储单元施加编程电压；其中，所述编程电压为阶跃脉冲电压，所述编程电压的各连续脉冲周期的脉冲幅值以相同的增量从小到大依次递增，直到增至所述编程电压的电压值。

7.根据权利要求6所述的存储单元可靠性的测试方法，其特征在于，所述增量适于根据实际测试中施加的所述编程电压的电压值，所需的最小脉冲幅值和脉冲周期值进行设定；其中，所需的最小脉冲幅值大于所述感知电压的电压值。

8.根据权利要求1-5任一项所述的存储单元可靠性的测试方法，其特征在于，所述存储单元可靠性的测试方法还包括：在所有步骤之前，对所述存储单元进行擦除操作，以使所述存储单元初始化。