[发明专利]一种生物质基自崩解型放射性污染去污剂的制备及使用方法

权利要求书

1.一种生物质基自崩解型放射性污染去污剂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤a、以木质素磺酸盐和甲醛为原料，并让二者通过羟甲基化反应制得改性木质素磺酸盐，然后将3～7重量份的改性木质素磺酸盐溶解在体积百分浓度为20％～80％的有机溶剂水溶液中制得质量体积百分浓度为3％～7％的改性木质素磺酸盐溶液；

步骤b、在40～60℃下，伴随加热搅拌将0.7～1.4重量份的壳聚糖溶解在质量百分浓度为1％～5％的稀酸中制得质量百分浓度为2％～4％的壳聚糖溶液；

步骤c、将改性木质素磺酸盐溶液和壳聚糖溶液在常温下按体积比1：1～2的比例混合，并加入质量体积百分浓度为0.5％～1.5％的阴离子表面活性剂和质量体积百分浓度为1％～3％的络合剂，置于搅拌设备中搅拌10～30min，然后经超声波脱泡处理5～10min制得去污剂。

2.如权利要求1所述的生物质基自崩解型放射性污染去污剂的制备方法，其特征在于，所述步骤a中，所述木质素磺酸盐采用木质素磺酸钠、木质素磺酸钙和木质素磺酸镁中的一种。

3.如权利要求1所述的生物质基自崩解型放射性污染去污剂的制备方法，其特征在于，所述步骤a中，所述有机溶剂采用甲醇、乙醇、乙二醇、丙二醇、正丁醇、正己醇、二氧六环中的一种。

4.如权利要求1所述的生物质基自崩解型放射性污染去污剂的制备方法，其特征在于，所述步骤b中，所述搅拌的搅拌速度为800～1200r/min。

5.如权利要求1所述的生物质基自崩解型放射性污染去污剂的制备方法，其特征在于，所述步骤b中，所述稀酸采用甲酸、醋酸、丙烯酸、乳酸、环烷酸、苯甲酸、盐酸中的一种。

6.如权利要求1所述的生物质基自崩解型放射性污染去污剂的制备方法，其特征在于，所述步骤c中，所述阴离子表面活性剂采用十二烷基苯磺酸钠、十二烷基磺酸钠中的一种或其混合物。

7.如权利要求1所述的生物质基自崩解型放射性污染去污剂的制备方法，其特征在于，所述步骤c中，所述络合剂采用柠檬酸钠、乙二胺四乙酸二钠、乙二胺四乙酸四钠、海藻酸钠中的一种或几种。

8.如权利要求7所述的生物质基自崩解型放射性污染去污剂的制备方法，其特征在于，所述步骤c中，所述搅拌设备采用磁力搅拌器，且搅拌速度在1200～1500r/min。

9.一种基于权利要求1-8任一项所述的生物质基自崩解型放射性污染去污剂的制备方法所制备的去污剂的使用方法，其特征在于，将所述去污剂喷涂于受到放射性污染的材料表面，自然干燥10-20小时后成膜，所述膜自行崩解脱落，收集崩解碎片，完成去污过程。

10.如权利要求9所述的去污剂的使用方法，其特征在于，所述受到放射性污染的材料包括金属、塑胶、玻璃、瓷砖、陶瓷和水泥中的一种。