[发明专利]显示面板的阵列基板有效

专利信息
申请号: 201410418181.X 申请日: 2014-08-22
公开(公告)号: CN105448931B 公开(公告)日: 2019-03-08
发明(设计)人: 李逸哲;林映彤 申请(专利权)人: 群创光电股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L29/786
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 显示 面板 阵列
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,包括:

基材;

第一晶体管,位于该基材上;以及

第二晶体管,位于该基材上,该第一晶体管与该第二晶体管电连接,且该第一晶体管与该第二晶体管共用一半导体层,该半导体层至少包括:

第一侧部;

转折部,连接该第一侧部;和

底部,连接该转折部;

其中,该第一侧部的第一外边缘延伸线与该底部的第二外边缘延伸线及该转折部的一第三外边缘之间形成一第一区域,该第一侧部的第一内边缘延伸线与该底部的第二内边缘延伸线及该转折部的第三内边缘形成一第二区域,该第三内边缘朝向该第三外边缘的方向弯曲,且该第一区域的面积小于该第二区域的面积。

2.如权利要求1所述的阵列基板,其中该第一区域的面积与该第二区域的面积的比例介于0.2到0.7之间。

3.如权利要求1所述的阵列基板,其中该转折部的该第三内边缘实质上不平行于该第一侧部的第一内边缘及该底部的第二内边缘,该转折部的该第三外边缘实质上不平行于该第一侧部的第一外边缘及该底部的第二外边缘。

4.如权利要求1所述的阵列基板,其中该第一晶体管具有栅极,该第一侧部于该栅极上具有第一宽度W1,该底部具有第二宽度W2。

5.如权利要求4所述的阵列基板,其中该第一宽度W1小于该第二宽度W2。

6.如权利要求4所述的阵列基板,其中该转折部具有第三宽度W3,该第三宽度W3大于(第一宽度W12+第二宽度W22)0.5

7.如权利要求4所述的阵列基板,其中该半导体层包括扩大部,该扩大部具有一第四宽度W4,该半导体层具有一连接部位于该第一侧部及该扩大部之间,该连接部具有一第五宽度W5,该第五宽度W5大于该第一宽度W1,且该第五宽度W5小于该第四宽度W4。

8.如权利要求1所述的阵列基板,其中该半导体层还包括第二侧部,该底部位于该第一侧部及该第二侧部之间。

9.如权利要求8所述的阵列基板,其中该半导体层还包括另一转折部,其两端分别连接该第二侧部和该底部。

10.如权利要求8所述的阵列基板,其中该第二侧部的第四内边缘实质上平行于该第一侧部的该第一内边缘,该第二侧部的一第四外边缘实质上平行于该第一侧部的该第一外边缘。

11.如权利要求1所述的阵列基板,其中该半导体层实质上为U形。

12.如权利要求1所述的阵列基板,其中该底部的第二内边缘实质上垂直于该第一侧部的该第一内边缘,该底部的第二外边缘实质上垂直于该第一侧部的该第一外边缘。

13.如权利要求1所述的阵列基板,其中该转折部的该第三外边缘具有第一曲率r1,该转折部的该第三内边缘具有第二曲率r2,该第一曲率r1大于该第二曲率r2。

14.如权利要求13所述的阵列基板,其中该第一曲率与第二曲率的比例r1/r2介于1.1到2之间。

15.一种阵列基板,包括:

基材;

第一晶体管,位于该基材上;

第二晶体管,位于该基材上,该第一晶体管与该第二晶体管电连接,且该第一晶体管与该第二晶体管共用一半导体层,该半导体层至少包括:

第一侧部;

转折部,连接该第一侧部;和

底部,连接该转折部;以及

数据线,位于该基材上且串联于该第一晶体管和该第二晶体管中的至少一者,

其中,该转折部的第三外边缘具有第一曲率r1,该转折部的第三内边缘具有第二曲率r2,该第一曲率r1大于该第二曲率r2。

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