[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括：N型黑硅衬底(3)、位于N型黑硅衬底(3)之下的第一Al₂O₃薄膜(2)、位于N型黑硅衬底(3)之上的第二Al₂O₃薄膜(4)以及位于第二Al₂O₃薄膜(4)之上的空穴输运层(5)。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，还包括：位于所述空穴输运层(5)之上的透明导电薄膜(6)、位于所述透明导电薄膜(6)之上的金属栅电极(7)以及位于所述第一Al₂O₃薄膜(2)之下的金属背电极(1)。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于：所述空穴输运层(5)为过渡金属氧化物。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于：所述过渡金属氧化物为MoO_x。

5.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于：所述透明导电薄膜(6)为透明氧化铟锡或掺镓氧化锌或掺铝氧化锌。

6.一种太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：

步骤一：在黑硅衬底(3)的背面制备第一Al₂O₃薄膜(2)以及在黑硅衬底(3)的正面制备第二Al₂O₃薄膜(4)；

步骤二：在第二Al₂O₃薄膜(4)上面制备空穴输运层(5)。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池的制备方法，还包括以下步骤：

步骤三：在空穴输运层(5)上面制备透明导电薄膜(6)；

步骤四：在透明导电薄膜(6)上面制备金属栅电极(7)；

步骤五：在第一Al₂O₃薄膜(2)下面制备金属背电极(1)。

8.根据权利要求6或7所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于：在步骤一中，在制备第一Al₂O₃薄膜(2)和第二Al₂O₃薄膜(4)之前，修饰所述黑硅衬底(3)的纳米结构。

9.根据权利要求6或7所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于：在步骤一中，制备所述第一Al₂O₃薄膜(2)和第二Al₂O₃薄膜(4)的方法为ALD方法。

10.根据权利要求6或7所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于：在步骤二中，制备所述空穴输运层(5)的方法为热蒸发MoO₃粉末或反应磁控溅射Mo金属靶材或磁控溅射MoO₃靶材。