[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201410418499.8 | 申请日: | 2014-08-22 |
公开(公告)号: | CN105449018A | 公开(公告)日: | 2016-03-30 |
发明(设计)人: | 陈伟;刘尧平;杨丽霞;王燕;梁会力;梅增霞;杜小龙 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | H01L31/0256 | 分类号: | H01L31/0256;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇;王博 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种太阳能电池,包括:N型黑硅衬底(3)、位于N型黑硅衬底(3)之下的第一Al2O3薄膜(2)、位于N型黑硅衬底(3)之上的第二Al2O3薄膜(4)以及位于第二Al2O3薄膜(4)之上的空穴输运层(5)。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,还包括:位于所述空穴输运层(5)之上的透明导电薄膜(6)、位于所述透明导电薄膜(6)之上的金属栅电极(7)以及位于所述第一Al2O3薄膜(2)之下的金属背电极(1)。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池,其特征在于:所述空穴输运层(5)为过渡金属氧化物。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于:所述过渡金属氧化物为MoOx。
5.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于:所述透明导电薄膜(6)为透明氧化铟锡或掺镓氧化锌或掺铝氧化锌。
6.一种太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:
步骤一:在黑硅衬底(3)的背面制备第一Al2O3薄膜(2)以及在黑硅衬底(3)的正面制备第二Al2O3薄膜(4);
步骤二:在第二Al2O3薄膜(4)上面制备空穴输运层(5)。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池的制备方法,还包括以下步骤:
步骤三:在空穴输运层(5)上面制备透明导电薄膜(6);
步骤四:在透明导电薄膜(6)上面制备金属栅电极(7);
步骤五:在第一Al2O3薄膜(2)下面制备金属背电极(1)。
8.根据权利要求6或7所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于:在步骤一中,在制备第一Al2O3薄膜(2)和第二Al2O3薄膜(4)之前,修饰所述黑硅衬底(3)的纳米结构。
9.根据权利要求6或7所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于:在步骤一中,制备所述第一Al2O3薄膜(2)和第二Al2O3薄膜(4)的方法为ALD方法。
10.根据权利要求6或7所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于:在步骤二中,制备所述空穴输运层(5)的方法为热蒸发MoO3粉末或反应磁控溅射Mo金属靶材或磁控溅射MoO3靶材。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所,未经中国科学院物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410418499.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种太阳能电池组件散热台
- 下一篇:一种半导体器件及其制造方法和电子装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的