[发明专利]用于可流动的氧化物沉积的组合物及其使用方法有效
申请号: | 201410418846.7 | 申请日: | 2014-08-22 |
公开(公告)号: | CN104425209B | 公开(公告)日: | 2017-09-08 |
发明(设计)人: | R·M·佩尔斯泰恩;D·P·斯彭斯 | 申请(专利权)人: | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 吴亦华 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 流动 氧化物 沉积 组合 及其 使用方法 | ||
1.一种制剂,其包含:
(a)式I的第一有机硅烷前体:
I.R1R2R3R4Si
其中R1、R2、R3和R4各自独立地选自氢原子;卤原子;C1-C12直链或支链烷基;C2-C12烯基;C2-C12炔基;C3-C12芳基;C3-C12环烷基;C1-C12烷氧基;C5至C12芳氧基;C1至C12酰氧基;C5至C12芳酰氧基;异氰酸基;具有式NR5R6的氨基;和具有式-CH2Si(OR7)nR83-n或-CH2CH2Si(OR7)nR83-n的烷氧基甲硅烷基烷基,其中n是0至3的数;其中R5和R6独立地选自:氢原子、C1-C6直链或支链烷基、C3至C12环烷基、和C3-C12芳基;并且其中R5和R6连接成环或R5和R6不连接成环;其中R7和R8独立地选自:氢原子、C1-C6直链或支链烷基、C3至C12环烷基和C3至C12芳基;并且其中R7和R8连接成环或R7和R8不连接成环;并且
其中第一有机硅烷前体含有选自Si-H、Si-O和Si-N键的至少两个可水解的键;
(b)任选的不同于所述第一有机硅烷前体的第二有机硅烷前体,其选自:
(1)式III的化合物:
III.XSiR1R2R3
其中X是选自F、Cl、Br和I的卤原子;
其中R1、R2和R3各自独立地选自氢原子;卤原子;C1-C12直链或支链烷基;C2-C12烯基;C2-C12炔基;C3-C12芳基;C3-C12环烷基;C1-C12烷氧基;C5-C12芳氧基;C1至C12酰氧基;C5至C12芳酰氧基;异氰酸基;具有式-CH2Si(OR7)nR83-n或-CH2CH2Si(OR7)nR83-n的烷氧基甲硅烷基烷基,其中n是0至3的数;
其中R7和R8独立地选自:氢原子、C1-C6直链或支链烷基、C3至C12环烷基和C3至C12芳基;并且其中R7和R8连接成环或R7和R8不连接成环;并且
其中在所述第二有机硅烷前体内的取代基R1、R2和R3中的至少一个形成Si-H、Si-卤素、Si-O或Si-N键;和
(2)具有式IV的化合物,所述式IV为:
IV.(R5R6N)nSiH4-n
其中R5和R6独立地选自:氢原子、C1-C6直链或支链烷基、C3至C12环烷基和C3至C12芳基,其中R5和R6连接成环或R5和R6不连接成环;并且其中n=1、2、3或4;
(c)任选的催化剂;和
(d)表面活性剂,其具有选自式A至D之一的化学式:
其中R1和R4各自独立地为直链或支链C1-C7烷基;R2和R3各自独立地为氢原子或直链或支链C1-C5烷基;R5为氢原子或者直链或支链C1-C6烷基;W为氢原子或C2-C12炔基;X和Y为氢原子或羟基;Z是具有式-(CH2)j-或式-C≡C-的连接基团;t是0至2的数;m,n各自独立地为0到4的数;r为2或3;并且j为0至2的数;其中对于式A而言,当R1为甲基且R5和W都是氢原子时,t不为0。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于弗萨姆材料美国有限责任公司,未经弗萨姆材料美国有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410418846.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造