[发明专利]一种改进硅微通道板表面形貌的方法有效
| 申请号： | 201410419030.6 | 申请日： | 2014-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN104326439A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 王连卫;徐雨薇;徐少辉;朱一平 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学;上海欧普泰科技创业有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01J9/12 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 | 代理人： | 吴泽群 |
| 地址： | 200062 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改进 通道 表面 形貌 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种改进硅微通道板表面形貌的方法，其特征在于：其步骤为：
(1)在硅微通道板完成刻蚀后，采用激光切割使之形成所需大小圆形薄片；
(2)采用PECVD在硅微通道板的两侧依次淀积上300～500nm的SiO2层和100～200nm的Si3N4层薄膜，双面对称等厚；
(3)按照干氧-湿氧-干氧的顺序进行氧化，氧化的温度为900-1100℃，干氧的时间控制在15-20分钟，湿氧的时间控制在40-90分钟；得到改进表面形貌的硅微通道板。
2.根据权利要求1所述的一种改进硅微通道板表面形貌的方法，其特征在于：步骤(1)中，PECVD淀积的衬底温度为280－450℃，压强在13～266Pa。
3.根据权利要求2所述的一种改进硅微通道板表面形貌的方法，其特征在于：PECVD淀积的衬底温度为400℃。
4.根据权利要求1所述的一种改进硅微通道板表面形貌的方法，其特征在于：步骤(3)中，干氧的时间为15分钟，湿氧的时间为50～60分钟。
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