[发明专利]基于甲胺钳碘材料的太阳能电池制作方法和太阳能电池

权利要求书

1.一种基于甲胺钳碘材料的太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：

选取基片，将甲胺钳碘CH₃NH₃PbI₃材料涂布到所述基片的上表面上；

在所述甲胺钳碘CH₃NH₃PbI₃材料的上表面上蒸镀低功函数材料；

在所述低功函数材料的上表面上蒸镀金属，所述金属和所述低功函数材料中设置至少一个从上到下贯通的缺口，将所述金属作为太阳能电池的电极和保护层。

2.根据权利要求1所述的基于甲胺钳碘材料的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述的将甲胺钳碘CH₃NH₃PbI₃材料涂布到所述基片的上表面上之前还包括：

对所述基片的表面进行清洗，对清洗后的基片进行紫外臭氧处理表面。

3.根据权利要求1所述的基于甲胺钳碘的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述的基片为氧化铟锡ITO玻璃或者F掺杂的氧化硒FTO。

4.根据权利要求1所述的基于甲胺钳碘材料的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述的在所述甲胺钳碘CH₃NH₃PbI₃材料的上表面上蒸镀低功函数材料之前还包括：

对涂布了甲胺钳碘CH₃NH₃PbI₃材料的基片进行加热退火处理。

5.根据权利要求1至4任一项所述的基于甲胺钳碘材料的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述低功函数材料为：锂、钠、钾、钙、镁、锶或者钡。

6.根据权利要求1所述的基于甲胺钳碘材料的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述低功函数材料的厚度为50-500纳米。

7.根据权利要求1所述的基于甲胺钳碘材料的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述金属为铝、银或铜。

8.一种基于甲胺钳碘材料的太阳能电池，其特征在于，包括：基片、甲胺钳碘CH₃NH₃PbI₃材料、低功函数材料和金属；

所述的甲胺钳碘CH₃NH₃PbI₃材料涂布到所述基片的上表面上，所述低功函数材料蒸镀在所述甲胺钳碘CH₃NH₃PbI₃材料的上表面上，所述金属蒸镀在所述低功函数材料的上表面上，所述金属和所述低功函数材料中设置至少一个从上到下贯通的缺口，将所述金属作为太阳能电池的电极和保护层。

9.根据权利要求8所述的基于甲胺钳碘材料的太阳能电池，其特征在于，所述的基片为氧化铟锡ITO玻璃或者F掺杂的氧化硒FTO。

10.根据权利要求8所述的基于甲胺钳碘材料的太阳能电池，其特征在于，所述低功函数材料为：锂、钠、钾、钙、镁、锶或者钡。

11.根据权利要求8或9或10所述的基于甲胺钳碘材料的太阳能电池，其特征在于，所述低功函数材料的厚度为50-500纳米。

12.根据权利要求11所述的基于甲胺钳碘材料的太阳能电池，其特征在于，所述金属为铝、银或铜。