[发明专利]存储器和包括存储器的存储系统

说明书

一种存储器可以包括：多个字线；一个或更多个冗余字线，其用于替换所述多个字线之中的一个或更多个字线；目标地址发生单元，其适于利用储存的地址来产生一个或更多个目标地址；以及控制单元，其适于响应于周期性输入的刷新命令而顺序地刷新所述多个字线、当刷新命令被输入M次时刷新基于目标地址而选中的字线、以及每当刷新命令被输入N次时刷新所述一个或更多个冗余字线，其中，M和N是自然数。

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年12月18日提交的申请号为10-2013-0158327的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及存储器和包括存储器的存储系统。

背景技术

存储器的存储器单元包括用作开关的晶体管以及用于储存电荷(数据)的电容器。根据存储器单元的电容器中是否储存有电荷，即，电容器的端子电压是高还是低，数据可以分为逻辑高(逻辑1)数据和逻辑低(逻辑0)数据。

数据是以在电容器中累积电荷的方式来储存的。因而，理论上，在保持储存的数据时不消耗电能。然而，由于在MOS晶体管的PN结处发生电流泄露，所以可能丢失储存在电容器中的初始电荷，导致相应的数据丢失。为了防止数据丢失，在数据丢失之前，读取存储器单元的数据且基于读取的信息再次储存电荷。周期性地执行这个被称作为刷新操作的过程来保持数据。

图1是说明将要用于解释字线干扰的、存储器中包括的单元阵列的一部分的图。在图1中，“BL”代表位线。

在图1中，单元阵列中的“WLK-1”、“WLK”和“WLK+1”代表平行布置的三个字线。此外，具有“HIGH_ACT”的字线WLK代表具有高激活的字线，而字线WLK-1和WLK+1代表与字线WLK相邻地布置的字线。此外，“CELL_K-1”、“CELL_K”和“CELL_K+1”代表分别与字线WLK-1、WLK和WLK+1耦接的存储器单元。存储器单元“CELL_K-1”、“CELL_K”和“CELL_K+1”分别包括单元晶体管TR_K-1、TR_K和TR_K+1以及单元电容器CAP_K-1、CAP_K和CAP_K+1。

在图1中，当将字线WLK激活以及预充电(去激活)时，字线WLK-1和WLK+1的电压因为字线WLK与字线WLK-1、WLK+1之间的耦合效应而增加和减少，从而影响储存在单元电容器CAP_K-1和CAP_K+1中的电荷。因而，当将字线WLK频繁地激活-预充电以在激活状态和预充电状态之间触发时，储存在存储器单元CELL_K-1和CELL_K+1中的数据可能因为储存在电容器CAP_K-1和CAP_K+1中的电荷上的变化而丢失。

此外，字线在激活状态和预充电状态之间触发时产生的电子波可以将电子引入与相邻字线耦接的存储器单元所包括的单元电容器中，或将电子从与相邻字线耦接的存储器单元所包括的单元电容器放电，由此潜在地丢失存储器单元的数据。

发明内容

本发明的各种实施例针对一种能够刷新与高激活字线相邻的字线、从而防止储存在与相邻的字线耦接的存储器单元中的数据丢失的存储器和存储系统。

另外，本发明的各种实施例针对一种能够防止储存在与冗余字线耦接的存储器单元中的数据丢失的存储器和存储系统。

在一个实施例中，一种存储器可以包括：多个字线；一个或更多个冗余字线，其适于替换所述多个字线之中的一个或更多个字线；目标地址发生单元，其适于利用储存的地址来产生一个或更多个目标地址；以及控制单元，其适于响应于周期性输入的刷新命令而顺序地刷新所述多个字线、当刷新命令被输入M次时刷新基于目标地址而选中的字线、以及每当刷新命令被输入N次时刷新一个或更多个冗余字线，其中，M和N是自然数。

存储器还可以包括地址检测单元，其适于检测所述多个字线之中的被激活设定次数或更多次数的字线的地址、或以设定频率或更高频率而被激活的字线的地址。