[发明专利]齐纳二极管反熔丝结构及其制造方法

权利要求书

1.齐纳二极管反熔丝结构，其特征在于：包括衬底（1）、P型重掺杂区（2）、N型重掺杂区（3）、介质层（4）以及金属层（5），所述P型重掺杂区（2）形成在衬底（1）内且位于衬底（1）上部，所述N型重掺杂区（3）形成在P型重掺杂区（2）内且位于P型重掺杂区（2）上部，所述P型重掺杂区（2）同所述N型重掺杂区（3）的界面形成齐纳二极管的PN结，所述N型重掺杂区（3）在靠近PN结处呈尖角状，所述介质层（4）位于衬底（1）上表面，将衬底（1）上表面覆盖，介质层（4）上开设有接触孔一（4-1）和接触孔二（4-2），接触孔一（4-1）与N型重掺杂区（3）通联，接触孔二（4-2）与P型重掺杂区（2）通联，所述金属层（5）包括将接触孔一（4-1）填满的金属层一（5-1）、将接触孔二（4-2）填满的金属层二（5-2）、与金属层一（5-1）通联并堆积在介质层（4）表面的金属层三（5-3），与金属层二（5-2）通联并堆积在介质层（4）表面的金属层四（5-4），金属层三（5-3）与金属层四（5-4）之间有间隙，接触孔一（4-1）在靠近PN结的一侧方向上呈尖角状，接触孔二（4-2）呈矩形状。

2.根据权利要求1所述的齐纳二极管反熔丝结构，其特征在于：所述金属层三（5-3）和金属层四（5-4）均呈矩形状，金属层三（5-3）和金属层四（5-4）之间的距离为0.5-8μm。

3.根据权利要求1所述的齐纳二极管反熔丝结构，其特征在于：所述接触孔一（4-1）横向宽度为2-4μm，接触孔二（4-2）横向宽度为0.5μm-2μm。

4.根据权利要求1所述的齐纳二极管反熔丝结构，其特征在于：所述N型重掺杂区（3）浓度为2E18-5E19 个/cm3，结深为0.5-1.8μm。

5.根据权利要求1所述的齐纳二极管反熔丝结构，其特征在于：所述P型重掺杂区（2）浓度1E17-1.5E18个/cm3，结深为2-5μm。

6.根据权利要求1所述的齐纳二极管反熔丝结构，其特征在于：所述接触孔一（4-1）与N型重掺杂区（3）横向间的距离为0.15-0.3μm。

7.根据权利要求1所述的齐纳二极管反熔丝结构，其特征在于：所述衬底（1）的材料为硅，介质层（4）的材料为磷硅玻璃，金属层（5）的材料为钨。

8.一种权利要求1所述齐纳二极管反熔丝结构的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：

（1）、在衬底（1）上利用离子注入工艺注入P型硅材料形成P型重掺杂区（2）；

（2）、对P型重掺杂区（2）进行热过程推结，使P型重掺杂区（2）的结深为2-5μm；

（3）、通过光刻工艺对P型重掺杂区（2）进行选择性注入N型杂质形成N型重掺杂区（3），所述P型重掺杂区（2）同所述N型重掺杂区（3）的界面形成齐纳二极管的PN结；

（4）、在衬底（1）上利用化学气相淀积工艺淀积形成介质层（4）；

（5）、通过光刻刻蚀工艺在介质层（4）上形成与N型重掺杂区（3）通联的接触孔一（4-1），与P型重掺杂区（2）通联的接触孔二（4-2），在接触孔一（4-1）和接触孔二（4-2）分别填入钨并在介质层（4）上堆积形成金属层（5）。