[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，

包含结型场效应晶体管，

所述结型场效应晶体管包括：

成为电流通路的第1导电型的沟道区域；

与所述第1导电型相反的第2导电型的一对栅极区域，所述一对栅极区域形成为夹持所述沟道区域；以及，

源极区域，设置在所述沟道区域的上表面上，

所述半导体器件的特征在于，所述一对栅极区域的每一个具有：

低浓度栅极区域；以及

杂质浓度比所述低浓度栅极区域高的高浓度栅极区域，

所述高浓度栅极区域内包于所述低浓度栅极区域，

俯视下，关于所述沟道区域的中心线，所述源极区域的外侧边缘位于所述一对栅极区域的所述低浓度栅极区域的内侧边缘之间，

所述沟道区域以均匀浓度从所述一对栅极区域之间向所述低浓度栅极区域的底面延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述高浓度栅极区域不与所述沟道区域接触。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

在所述沟道区域与所述高浓度栅极区域之间存在所述低浓度栅极区域的一部分。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述高浓度栅极区域的底面形成于比所述低浓度栅极区域的底面浅的位置。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

在所述高浓度栅极区域上形成有硅化物层。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述沟道区域包括通过向碳化硅导入所述第1导电型杂质而形成的半导体区域，

所述一对栅极区域的每一个包括由通过向碳化硅导入所述第2导电型杂质而形成的另一半导体区域。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

在所述低浓度栅极区域与所述沟道区域之间形成有所述第1导电型的反向掺杂区域。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述结型场效应晶体管还具有：

半导体衬底；

外延层，形成在所述半导体衬底上；

所述源极区域，形成在所述外延层的表面上；

所述沟道区域，形成在所述源极区域的下层；

一对槽，以夹持所述源极区域的方式形成在所述外延层上；以及

所述一对栅极区域，形成在所述一对槽的底部之下。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，

俯视下，所述低浓度栅极区域重叠于所述一对槽。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述结型场效应晶体管还具有：

一对槽，从所述源极区域的所述外侧边缘向所述低浓度栅极区域的上表面延伸，所述一对槽的底面设置于所述低浓度栅极区域的上表面上。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，

所述结型场效应晶体管还具有：

形成在所述低浓度栅极区域与所述沟道区域之间的所述第1导电型的反向掺杂区域，以及

所述反向掺杂区域的顶面位于所述一对槽的底面之下。