[发明专利]一种大尺寸弯曲不敏感多模光纤预制棒的制造方法有效

专利信息
申请号: 201410420024.2 申请日: 2014-08-25
公开(公告)号: CN104291676A 公开(公告)日: 2015-01-21
发明(设计)人: 龙胜亚;张磊;黄荣;王润涵;王瑞春 申请(专利权)人: 长飞光纤光缆股份有限公司
主分类号: C03B37/018 分类号: C03B37/018
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 胡建平
地址: 430073 *** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 尺寸 弯曲 敏感 光纤 预制 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种大尺寸弯曲不敏感多模光纤预制棒的制造方法,其特征在于

首先使用纯石英玻璃衬管作为芯棒基底管,使用PCVD或MCVD工艺进行掺杂沉积,所述的纯石英玻璃衬管外径为28~47mm,单边壁厚为1~4mm;

掺杂沉积过程,在反应气体四氯化硅和氧气中,通入含氟的气体,进行氟掺杂,通入四氯化锗,进行锗掺杂,通过微波使衬管内的反应气体离子化变成等离子体,并最终以玻璃的形式沉积在衬管内壁,根据所述光纤波导结构的掺杂要求,通过改变混合气体中掺杂气体的流量,依次沉积内包层和芯层,形成Ge/F共掺的芯层、Ge/F共掺或掺F的第一内包层、及纯二氧化硅第二内包层的沉积衬管;

沉积完成后,用电加热炉将沉积衬管加温熔缩成实心芯棒;将实心芯棒进行腐蚀处理;

然后再使用纯石英玻璃衬管作为套管基底管,使用PCVD或MCVD工艺进行掺杂沉积,所述的纯石英玻璃衬管外径为45~65mm,单边壁厚为7~14mm;

掺杂沉积过程,在反应气体四氯化硅和氧气中,通入含氟的气体,引入氟掺杂,通过微波使衬管内的反应气体离子化变成等离子体,并最终以玻璃的形式沉积在衬管内壁,根据所述光纤波导结构的掺杂要求,通过改变混合气体中掺杂气体的流量,沉积掺氟的下陷包层;沉积后成为外层为纯二氧化硅玻璃层、内层为F掺杂玻璃层的掺杂套管;掺杂套管壁厚较原始衬管壁厚增加1~4mm;

将掺杂套管进行清洗、腐蚀处理;

最后将实心芯棒套入掺杂套管,制成用于RIT工艺的光纤预制棒,掺杂套管的孔径与实心芯棒外径的差值为0.5~4mm;或者将实心芯棒与掺杂套管组装后再次加温熔缩成实心的光纤预制棒。

2.按权利要求1所述的大尺寸弯曲不敏感多模光纤预制棒的制造方法,其特征在于所述的实心芯棒腐蚀前后的直径差值0.2~1.2mm。

3.按权利要求1或2所述的大尺寸弯曲不敏感多模光纤预制棒的制造方法,其特征在于所述的光纤预制棒有效直径d为45~60mm,所述的芯层直径a为17-25mm。

4.按权利要求3所述的大尺寸弯曲不敏感多模光纤预制棒的制造方法,其特征在于所述的光纤预制棒的芯棒直径b与芯层直径a的比值b/a为1.1~1.4,芯棒直径b与折算成实心预制棒直径d的比值d/b为1.7~2.4。

5.按权利要求4所述的大尺寸弯曲不敏感多模光纤预制棒的制造方法,其特征在于所述的芯层折射率剖面呈抛物线,分布指数α为1.9~2.2,最大相对折射率差Δ1为0.9~1.2%,所述的第一内包层相对折射率差Δ2为-0.02~0.02%。

6.按权利要求5所述的大尺寸弯曲不敏感多模光纤预制棒的制造方法,其特征在于所述的芯层为Ge/F共掺二氧化硅玻璃层,其中芯层中心位置F掺杂的贡献量小于或等于-0.04%;由芯层中心位置到第一内包层边缘位置,F掺杂的贡献量逐渐增加,在第一内包层边缘部分的F掺杂的贡献量大于或等于-0.5%。

7.按权利要求5或6所述的大尺寸弯曲不敏感多模光纤预制棒的制造方法,其特征在于所述的第一内包层为Ge/F共掺二氧化硅玻璃层,或掺F的二氧化硅玻璃层,其中F的贡献量为-0.02%~-0.1%。

8.按权利要求5所述的大尺寸弯曲不敏感多模光纤预制棒的制造方法,其特征在于所述的下陷包层为掺F二氧化硅玻璃层,相对折射率差为-0.38%~-0.45%;所述的外包层为纯二氧化硅玻璃层。

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