[发明专利]抑制刻蚀过程中孔底部出现缺口的方法、孔的形成方法有效
| 申请号： | 201410421297.9 | 申请日： | 2014-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN105374737B | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 黄秋平;王红超;严利均;刘身健;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 抑制 刻蚀 过程 底部 出现 缺口 方法 形成 | ||
【权利要求书】：
1.利用波希法刻蚀孔结构的方法，包括：
执行主刻蚀工艺，以形成孔，所述主刻蚀工艺包括：(a)、等离子刻蚀步骤；(b)、钝化步骤；(c)、交替重复上述等离子刻蚀步骤(a)与钝化步骤(b)；
执行过刻蚀工艺，以加深所述孔，所述过刻蚀工艺包括：(d)等离子刻蚀步骤；(e)钝化步骤；(f)交替重复上述等离子刻蚀步骤(d)与钝化步骤(e)；
其中，所述过刻蚀工艺对应的等离子刻蚀步骤(d)中反应腔内的工作气压，小于所述主刻蚀工艺对应的等离子刻蚀步骤(a)中反应腔内的工作气压；
所述过刻蚀工艺对应的钝化步骤(e)中反应腔内的工作气压，大于所述主刻蚀工艺对应的钝化步骤(b)的工作气压，使得所述过刻蚀工艺对应的钝化步骤(e)中形成的聚合物层厚度大于所述主刻蚀工艺对应的钝化步骤(b)中形成的聚合物层厚度。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述过刻蚀工艺对应的等离子刻蚀步骤(d)中反应腔内的工作气压不大于40mTorr。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，待蚀刻材料层的下方粘附一层不同材质的绝缘层，所述主刻蚀工艺在刻蚀最快的区域刚接触所述绝缘层立刻停止，或未接触到所述绝缘层停止。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述待蚀刻材料层与所述绝缘层为SOI衬底的顶层硅与埋氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
