[发明专利]光耦合装置

权利要求书

1.一种光耦合装置，具备：

发光元件，由输入电信号驱动；

受光元件，将上述发光元件的放出光转换成电信号而输出；

内侧树脂层，包含：含有具有环氧基的异氰脲酸的主剂；和含有具有酸酐基的酸酐的硬化剂，且覆盖上述发光元件和上述受光元件；以及

外侧树脂层，包围上述内侧树脂层，且对上述放出光进行遮光，

该光耦合装置具有如下区域：随着从上述内侧树脂层与上述外侧树脂层的界面起的上述内侧树脂层的深度方向的距离变大，碳原子浓度增大且氧原子浓度降低的区域。

2.如权利要求1所述的光耦合装置，其中，

上述内侧树脂层与上述外侧树脂层分别包含含有硅的无机填充剂，

上述内侧树脂层的上述无机填充剂在上述界面露出。

3.如权利要求2所述的光耦合装置，其中，

在上述内侧树脂层中配合有60重量％以上且85重量％以下的第一配合比的第一无机填充剂，

在上述外侧树脂层中配合有60重量％以上且85重量％以下的第二配合比的第二无机填充剂，

上述第一配合比与上述第二配合比之差为5重量％以上且12重量％以下。

4.如权利要求1所述的光耦合装置，其中，

上述异氰脲酸包括1,3,5-三(2,3-环氧丙基)异氰脲酸，

上述酸酐包括异甲基四氢邻苯二甲酸酐。

5.一种光耦合装置，具备：

发光元件，由输入电信号驱动；

受光元件，将上述发光元件的放出光转换成电信号而输出；

内侧树脂层，包含：含有具有环氧基的异氰脲酸的主剂；和含有具有酸酐基的酸酐的硬化剂，且覆盖上述发光元件和上述受光元件；以及

外侧树脂层，包围上述内侧树脂层，且对上述放出光进行遮光，

该光耦合装置具有如下区域：随着从上述内侧树脂层和上述外侧树脂层的界面起的上述内侧树脂层的深度方向的距离变大，氧原子浓度/硅原子浓度的比值减小的区域。

6.如权利要求5所述的光耦合装置，其中，

上述内侧树脂层与上述外侧树脂层分别包含含有硅的无机填充剂，

上述内侧树脂层的上述无机填充剂在上述界面露出。

7.如权利要求6所述的光耦合装置，其中，

在上述内侧树脂层中配合有60重量％以上且85重量％以下的第一配合比的第一无机填充剂，

在上述外侧树脂层中配合有60重量％以上且85重量％以下的第二配合比的第二无机填充剂，

上述第一配合比与上述第二配合比之差为5重量％以上且12重量％以下。

8.如权利要求5所述的光耦合装置，其中，

上述异氰脲酸包括1,3,5-三(2,3-环氧丙基)异氰脲酸，

上述酸酐包括异甲基四氢邻苯二甲酸酐。

9.一种光耦合装置，具备：

发光元件，由输入电信号驱动；

受光元件，将上述发光元件的放出光转换成电信号而输出；

内侧树脂层，包含：含有具有环氧基的异氰脲酸的主剂；和含有具有酸酐基的酸酐的硬化剂，且覆盖上述发光元件和上述受光元件；以及

外侧树脂层，包围上述内侧树脂层，且对上述放出光进行遮光，

随着从上述内侧树脂层与上述外侧树脂层的界面起的上述内侧树脂层的深度方向的距离变大，在硅原子浓度、氧原子浓度以及碳原子浓度中，上述三者中任意两者之间的比值不同。

10.如权利要求9所述的光耦合装置，其中，

上述内侧树脂层与上述外侧树脂层分别包含含有硅的无机填充剂，

上述内侧树脂层的上述无机填充剂在上述界面露出。

11.如权利要求10所述的光耦合装置，其中，

在上述内侧树脂层中配合有60重量％以上且85重量％以下的第一配合比的第一无机填充剂，

在上述外侧树脂层中配合有60重量％以上且85重量％以下的第二配合比的第二无机填充剂，

上述第一配合比与上述第二配合比之差为5重量％以上且12重量％以下。

12.如权利要求9所述的光耦合装置，其中，

上述异氰脲酸包含1,3,5-三(2,3-环氧丙基)异氰脲酸，

上述酸酐包含异甲基四氢邻苯二甲酸酐。