[发明专利]偏置电压产生电路和液晶驱动电路有效
申请号: | 201410421491.7 | 申请日: | 2014-08-25 |
公开(公告)号: | CN104517573B | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 张健忠 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人: | 郭四华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 偏置 电压 产生 电路 液晶 驱动 | ||
1.一种偏置电压产生电路,其特征在于,包括:
第一偏置电压产生电路,包括串联于电源电压和地之间的多个分压电阻,所述分压电阻的串联结构对所述电源电压进行分压并形成多个偏置电压,所述第一偏置电压产生电路的各所述偏置电压的输出端分别作为整个偏置电压产生电路的一个偏置电压输出端;
驱动电流大于所述第一偏置电压产生电路的第二偏置电压产生电路,包括和所述偏置电压输出端的个数相同的源极跟随器电路,各所述源极跟随器电路的输出端连接一个所述偏置电压输出端;
各所述源极跟随器电路包括一个以上MOS晶体管源极跟随器和一个以上的第一MOS晶体管开关;通过时钟信号控制所述第一MOS晶体管开关的通断来控制所述源极跟随器电路的导通或断开;
各所述MOS晶体管源极跟随器的源极电压作为对应的所述源极跟随器电路的输出端电压,各所述源极跟随器电路导通时的输出端输出的电压和所述第一偏置电压产生电路在对应的所述偏置电压输出端输出的电压相同;在各所述MOS晶体管源极跟随器的栅极加栅极电压,各所述MOS晶体管源极跟随器的栅源电压为一阈值电压且由该栅源电压确定所对应的所述源极跟随器电路的导通电流;
所述源极跟随器电路导通时所对应的偏置电压输出端的驱动电流由所述第一偏置电压产生电路和所述第二偏置电压产生电路的驱动电流叠加形成;所述源极跟随器电路断开时所对应的偏置电压输出端的驱动电流由所述第一偏置电压产生电路的驱动电流确定。
2.如权利要求1所述的偏置电压产生电路,其特征在于:各所述源极跟随器电路包括两个所述MOS晶体管源极跟随器和两个所述第一MOS晶体管开关,两个所述第一MOS晶体管开关分别为第一PMOS管和第四NMOS管,两个所述MOS晶体管源极跟随器分别为第二NOMS管、第三PMOS管;所述第一PMOS管、所述第二NOMS管、所述第三PMOS管和所述第四NMOS管串联在电源电压和地之间,所述第一PMOS管的源极连接所述电源电压,所述第一PMOS管的漏极连接所述第二NMOS管的漏极,所述第二NMOS管的源极和所述第三PMOS管的源极相连且该连接位置作为对应的所述源极跟随器电路的输出端;所述第三PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的漏极连接,所述第四NMOS管的源极接地;
所述第一PMOS管的栅极连接的第一时钟信号和所述第四NMOS管的栅极连接的第二时钟信号互为反相,所述第二NMOS管的栅极连接第一栅极电压,所述第三PMOS管的栅极连接第二栅极电压,通过设置所述第一栅极电压和所述第二栅极电压设置对应的所述源极跟随器电路的输出端电压。
3.如权利要求1所述的偏置电压产生电路,其特征在于:所述偏置电压产生电路的偏置电压输出端的输出电压输入到偏压控制电路,所述偏压控制电路的输出端输出多个公共信号和多个分段信号,各所述公共信号和各所述分段信号输入到液晶面板并驱动所述液晶面板工作,各所述公共信号或各所述分段信号能够分别在所述偏置电压产生电路的各偏置电压输出端的偏置电压之间变化;在各所述公共信号或各所述分段信号变化时,和各所述公共信号或各所述分段信号变化后的偏置电压所对应的所述偏置电压输出端所对应的所述源极跟随器电路导通,延迟一定时间后对应的所述源极跟随器电路断开。
4.如权利要求3所述的偏置电压产生电路,其特征在于:所述第二偏置电压产生电路的驱动电流的大小满足使各所述公共信号或各所述分段信号变化时的变化时间缩小到要求值;所述第一偏置电压产生电路的驱动电流用于使输入到所述液晶面板的所述公共信号或各所述分段信号的大小在两次变化之间维持在要求值范围。
5.如权利要求3所述的偏置电压产生电路,其特征在于:通过调整各所述分压电阻调节所述第一偏置电压产生电路的驱动电流大小,所述第一偏置电压产生电路的驱动电流的大小要能补偿所述液晶面板的公共极和分段极之间产生的漏电流。
6.如权利要求1所述的偏置电压产生电路,其特征在于:所述第一偏置电压产生电路还包括一第二MOS晶体管开关,所述第二MOS晶体管开关的源漏极串联在各所述分压电阻的路径上,所述第二MOS晶体管开关的栅极连接一控制信号来控制所述第一偏置电压产生电路的导通和关断。
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