[发明专利]一种楔形硅结构阵列的制作方法

权利要求书

1.一种楔形硅结构阵列的制作方法，其特征在于，包括步骤：

A)在衬底上键合形成预定厚度的硅层；

B)在所述预定厚度的硅层上形成多个掩膜条；

C)将所述硅层的未被所述掩膜条覆盖的部分去除；

D)将所述掩膜条去除，以将所述硅层的被所述掩膜条覆盖的部分暴露；

E)在步骤D)中暴露的所述硅层的侧斜壁上涂布多个光刻胶；

F)将步骤E)中未被所述光刻胶覆盖的硅层去除；

G)将步骤E)中涂布的所述光刻胶去除，从而形成阵列排布的楔形硅结构。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述倾斜壁与所述衬底的表面的夹角为50°至60°。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述衬底的材料为玻璃，其中，所述步骤A)的具体方法包括：

将由玻璃形成的衬底与硅片进行阳极键合；

将所述硅片减薄，以形成所述预定厚度的硅层。

4.根据权利要求1或3所述的制作方法，其特征在于，所述预定厚度等于所述楔形硅结构的高度。

5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述硅片为双面抛光的硅片。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在步骤B)中，所述多个掩膜条等间距排列。

7.根据权利要求1或6所述的制作方法，其特征在于，所述步骤B)的具体方法包括：

在所述预定厚度的硅层上形成掩膜层；

在所述掩膜层上等间距涂布光刻胶；

将所述掩膜层的未被光刻胶覆盖的部分去除；

将涂布的光刻胶去除，从而形成等间距排列的所述多个掩膜条。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述多个掩膜条之间的间距不小于所述楔形硅结构的高度的1.15倍。

9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在步骤E)中，所述多个光刻胶等间距排列。

10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述硅层的被所述掩膜条覆盖的部分的截面形状为梯形形状。