[发明专利]半导体装置

说明书

相关申请的引用：

本申请以2014年3月14日申请的在先日本专利申请2014－052565号为基础并要求其优先权，该在先申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体装置。

背景技术

例如，在IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管)等利用高电压的半导体装置中，有时元件终端区域使用场板(field plate)构造。希望在这样的半导体装置中提高耐压。

发明内容

本实施方式提供一种使耐压提高的半导体装置。

根据一个实施方式，半导体装置包括基板、第一导电层、扩散层、第一绝缘层、第二导电层、第二绝缘层和第三绝缘层。上述基板具有主面，包括包含半导体元件的内侧区域和当向上述主面投影时设在上述内侧区域的周围的外侧区域，是第一导电型。上述第一导电层设在上述外侧区域之上，包括第一外侧导电部和当向上述主面投影时设在上述第一外侧导电部与上述内侧区域之间的第一内侧导电部。上述扩散层设在上述外侧区域，是第二导电型，包括外侧扩散部和内侧扩散部。上述外侧扩散部当向上述主面投影时设在上述内侧区域与上述第一外侧导电部之间。上述内侧扩散部当向上述主面投影时设在上述内侧区域与上述外侧扩散部之间。上述第一绝缘层设在上述第一外侧导电部与上述外侧区域之间，包括外侧绝缘部和内侧绝缘部。上述内侧绝缘部当向上述主面投影时设在上述外侧绝缘部与上述外侧扩散部之间。上述第二导电层设在上述外侧区域与上述第一外侧导电部之间，包括第二外侧导电部、第二内侧导电部和中间导电部。上述第二外侧导电部设在上述内侧绝缘部与上述第一外侧导电部之间。上述第二内侧导电部设在上述外侧扩散部与上述第一内侧导电部之间。上述中间导电部当向上述主面投影时设在上述第二外侧导电部与上述第二内侧导电部之间。上述第二绝缘层设在上述第一导电层与上述扩散层之间、以及上述第一导电层与上述第二导电层之间。上述第三绝缘层的至少一部分设在上述中间导电部与上述外侧区域之间。沿着从上述外侧区域朝向上述第一导电层的第一方向的上述外侧区域与上述第二外侧导电部之间的第一距离，比沿着上述第一方向的上述外侧区域与上述第二内侧导电部之间的第二距离长，比沿着上述第一方向的上述外侧区域与上述中间导电部之间的第三距离长。

发明效果：

本实施方式能够提供使耐压提高的半导体装置。

附图说明

图1是例示实施方式的半导体装置的示意性平面图。

图2是例示实施方式的半导体装置的示意性截面图。

具体实施方式

以下，参照附图说明各实施方式。

另外，附图是示意性或概念性的，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小的比率等并不一定与实际情况相同。此外，即使在表示相同部分的情况下，有时也根据附图而将相互的尺寸、比率表示得不同。

另外，本申请说明书和各附图中，关于已示出的附图，对于与前述的要素相同的要素赋予同一附图标记而适当地省略详细说明。

图1是例示实施方式的半导体装置的示意性平面图。图2是例示实施方式的半导体装置的示意性截面图。

图1例示出半导体装置100。图2例示出图1的A1－A2线的半导体装置100的截面。

如图1及图2所示，半导体装置100包括基板10、第一导电层20、扩散层30、第一绝缘层40、第二导电层50、第二绝缘层60和第三绝缘层70。

基板10具有主面10p。基板10包括内侧区域11和外侧区域12。内侧区域11是半导体装置100的元件区域。内侧区域11包含半导体元件80的至少一部分。外侧区域12是半导体装置100的终端区域。外侧区域12当向主面10p投影时设在内侧区域11的周围。

基板10例如能够使用硅(Si)、碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)等。基板10是第一导电型。该例中，第一导电型是n型。

以下的实施方式中，将第一导电型设为n型、第二导电型设为p型来说明。以下的说明也能够适用于将第一导电型设为p型、第二导电型设为n型的情况。

半导体元件80例如包括栅极电极81、体(body)区域82、布线83、扩散区域84(源极区域)、漂移区域85、集电极电极86、发射极电极87和层间绝缘层88。