[发明专利]光继电器在审
申请号: | 201410422735.3 | 申请日: | 2014-08-25 |
公开(公告)号: | CN104916730A | 公开(公告)日: | 2015-09-16 |
发明(设计)人: | 鹰居直也;山本真美;野口吉雄;中岛英児 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 王成坤;胡建新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 继电器 | ||
1.一种光继电器,相对于外部电路基板将侧面一侧作为安装面
该光继电器具备:
绝缘基板,具有第一面和与所述第一面相反一侧的第二面;
输入端子,在所述第一面包含第一导电区域;
输出端子,在所述第一面包含第一导电区域;
芯片焊盘部,设置于所述输入端子与所述输出端子之间的所述第一面上;
受光元件,粘接于所述芯片焊盘部;
发光元件,粘接于所述受光元件的上表面,并连接于所述输入端子的所述第一导电区域;
MOSFET,连接于所述输出端子的所述第一导电区域;以及
第一密封树脂层,覆盖所述受光元件、所述发光元件、所述MOSFET及所述第一面,
引出电极包含于所述输入端子或包含于所述输出端子,
在所述绝缘基板的侧面中的被作为所述安装面的侧面,设置有包含于所述输入端子的安装导电区域以及包含于所述输出端子的安装导电区域。
2.如权利要求1所述的光继电器,
所述输入端子在所述第二面包含第二导电区域,
所述输出端子在所述第二面包含第二导电区域。
3.如权利要求1所述的光继电器,
在被作为所述安装面的、所述绝缘基板的所述侧面,设置缺口部,
所述输入端子的所述安装导电区域以及所述输出端子的所述安装导电区域分别设置于所述缺口部的内壁。
4.如权利要求1所述的光继电器,
所述输入端子的所述引出导电区域设置于所述第一密封树脂层的表面或内部。
5.如权利要求1所述的光继电器,
所述输出端子的所述引出导电区域设置于所述第一密封树脂层的表面或内部。
6.如权利要求1所述的光继电器,
还具备设置于所述第二面侧的第二密封树脂层,所述引出导电区域设置于所述第二面,
所述第二树脂层覆盖所述第二面和所述引出电极。
7.一种光继电器,具备:
绝缘基板,具有第一面、第一侧面、与所述第一侧面相反一侧的第二侧面,该绝缘基板具有0.3mm以上的厚度和3.4以下的介电常数;
输入端子,在所述第一面包含第一导电区域,所述输入端子设置于所述第一侧面一侧;
芯片焊盘部,设置于所述第一面;
输出端子,在所述第一面,在成为与所述输入端子相反一侧的所述芯片焊盘部一侧包含第一导电区域,所述输出端子被设置于所述第二侧面一侧;
受光元件,粘接于所述芯片焊盘部;
发光元件,粘接于所述受光元件的上表面,所述发光元件连接于所述输入端子的所述第一导电区域;
MOSFET,连接于所述输出端子的所述第一导电区域;以及
密封树脂层,覆盖所述受光元件、所述发光元件、所述MOSFET及所述第一面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410422735.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:石墨烯太赫兹波探测器及其制作方法
- 下一篇:用于光伏器件的吸收层及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的