[发明专利]MEMS器件有效
申请号: | 201410423786.8 | 申请日: | 2014-08-26 |
公开(公告)号: | CN104418289B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | S.巴尔岑;A.德赫 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | B81B7/02 | 分类号: | B81B7/02;B81C1/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 张涛,胡莉莉 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | mems 器件 | ||
1.一种MEMS器件,包括:
背板电极;以及
隔膜,与所述背板电极间隔开,其中,所述隔膜包括可移位部分和固定部分;
其中,布置所述背板电极和所述隔膜,以使得所述隔膜的所述固定部分与所述背板电极的重叠区域小于最大重叠。
2.如权利要求1所述的MEMS器件,其中,所述背板电极包括:分段,在有源背板部分与另一背板部分之间提供电隔离,所述有源背板部分面对所述隔膜的所述可移位部分。
3.如权利要求2所述的MEMS器件,其中,所述有源背板部分是介质部分,并且其中,所述另一背板部分是边缘部分。
4.如权利要求1所述的MEMS器件,其中,所述背板电极包括:接合层,其将所述背板电极拉平。
5.如权利要求4所述的MEMS器件,其中,所述接合层包括:介电材料。
6.如权利要求4所述的MEMS器件,除了所述背板电极,还包括:在所述隔膜的相反侧处的第二背板电极,所述第二背板电极包括第二接合层,其中,所述接合层和所述第二接合层分别接合到所述背板电极和所述第二背板电极的表面,面对彼此或面对相反方向。
7.如权利要求1所述的MEMS器件,除了所述背板电极,还包括:第二背板电极,在所述隔膜的相反侧处,其中,
布置所述背板电极和所述第二背板电极,以使得在与所述隔膜的所述固定部分对应的区域中,相关于彼此的重叠区域包括最大重叠;以及
布置所述隔膜,以使得在所述固定部分中,相关于所述背板电极和所述第二背板电极这两者的重叠区域小于最大重叠。
8.如权利要求1所述的MEMS器件,其中,所述背板电极或所述隔膜的圆周包括:凹部,被适配为减少相关于彼此的重叠区域。
9.如权利要求8所述的MEMS器件,其中,所述凹部具有半圆形形状、圆形分段形状或城堞形状。
10.如权利要求8所述的MEMS器件,其中,以等距方式沿着所述圆周布置所述凹部。
11.如权利要求10所述的MEMS器件,其中,所述背板电极和所述隔膜包括相同数量的凹部,并且被布置为使得所述凹部彼此有角地偏移。
12.如权利要求11所述的MEMS器件,其中,所述背板电极和所述隔膜的所述凹部的有角偏移包括导致对彼此的最小重叠的值。
13.如权利要求1所述的MEMS器件,除了所述背板电极,还包括:在所述隔膜的相反侧处的第二背板电极;衬底,被适配为对支撑结构进行支撑;保护环,插入在所述衬底与所述支撑结构之间,所述保护环与所述第二背板电极关联,并且被适配为减少所述支撑结构中的寄生电容。
14.如权利要求13所述的MEMS器件,其中,所述保护环被以圆周方式插入并且被适配为减少所述第二背板电极与所述衬底之间的寄生电容。
15.如权利要求13所述的MEMS器件,还包括:附加保护环,布置在所述支撑结构中,所述附加保护环分别与所述背板电极和所述隔膜关联。
16.如权利要求1所述的MEMS器件,其中,所述背板电极和所述隔膜的每一个包括导电材料。
17.一种静电换能器,包括:
背板电极;
隔膜,与所述背板电极间隔开,其中,所述隔膜包括可移位部分和固定部分;
其中,布置所述背板电极和所述隔膜,以使得所述隔膜的所述固定部分与所述背板电极的重叠区域小于最大重叠;以及
其中,所述静电换能器被配置为:响应于所述隔膜相关于所述背板电极的运动而创建输出信号。
18.如权利要求17所述的静电换能器,
其中,所述背板电极包括:分段, 在有源背板部分与另一背板部分之间提供电隔离,所述有源背板部分面对所述隔膜的所述可移位部分;以及
其中,所述有源背板部分是中心部分,并且其中,所述另一背板部分是外周部分。
19.一种用于制造包括背板电极和与所述背板电极间隔开的隔膜的MEMS器件的方法,其中,所述隔膜包括可移位部分和固定部分,所述方法包括:
组装所述背板电极和所述隔膜,以使得所述隔膜的所述固定部分与所述背板电极的重叠区域小于最大重叠。
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