[发明专利]一种低衰耗单模光纤有效
| 申请号： | 201410423830.5 | 申请日： | 2014-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN104155717B | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 王瑞春;傅琰;夏先辉 | 申请（专利权）人： | 长飞光纤光缆股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/036 | 分类号： | G02B6/036;G02B6/02 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司42102 | 代理人： | 胡建平 |
| 地址： | 430073 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低衰耗 单模 光纤 | ||
1.一种低衰耗单模光纤，包括有纤芯层、下陷包层和外包层，其特征在于纤芯层由折射率由高到低的三个芯层组成，第一芯层直径2R1为5μm~6.5μm，相对折射率差Δn1为 0.25%~0.4%，第二芯层直径2R2为8μm~10μm，相对折射率差Δn2为 0.15%~0.25%，第三芯层直径2R3为10.5μm ~13μm，相对折射率差Δn3为 0.01%~0.15%，芯层外包覆下陷包层，所述的下陷包层直径2R4为13μm ~16μm，相对折射率差Δn4为 -0.15%~0%，最外层是外包层，外包层为纯二氧化硅石英玻璃层。
2.按权利要求1所述的低衰耗单模光纤，其特征在于所述的三个芯层的相对折射率差为Δn1>Δn2>Δn3。
3.按权利要求1或2所述的低衰耗单模光纤，其特征在于所述的下陷包层的相对折射率差Δn4为 -0.10%~-0.03%。
4.按权利要求1或2所述的低衰耗单模光纤，其特征在于所述的纤芯层由氟(F)和锗(Ge)共掺的石英玻璃组成。
5.按权利要求1或2所述的低衰耗单模光纤，其特征在于所述的下陷包层由氟(F)和锗(Ge)共掺的石英玻璃组成。
6.按权利要求1或2所述的低衰耗单模光纤，其特征在于所述的外包层为 OVD、VAD 或 APVD 制备的纯二氧化硅石英玻璃层。
7.按权利要求1或2所述的低衰耗单模光纤，其特征在于所述光纤在 1310nm 波长处的衰减系数小于 0.325dB/km，在 1383nm 波长处的衰减系数小于 0.325dB/km，在 1550nm 波长处的衰减系数小于 0.185dB/km，在 1625nm 波长处的衰减系数小于 0.205dB/km。
8.按权利要求1或2所述的低衰耗单模光纤，其特征在于所述光纤在 1310nm 波长的模场直径为 8.7μm~9.5μm。
9.按权利要求1或2所述的低衰耗单模光纤，其特征在于所述光纤的光缆截止波长小于或等于1260nm。
10.按权利要求1或2所述的低衰耗单模光纤，其特征在于所述光纤的零色散波长为 1300~1324nm，光纤在零色散波长处的色散斜率小于或等于 0.091ps/nm2*km。
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