[发明专利]发光装置以及采用该发光装置的显示装置

权利要求书

1.一种发光装置，其包括：一绝缘透明基底以及一发光材料层设置于该绝缘透明基底一表面，其特征在于，进一步包括一设置于该绝缘透明基底与该发光材料层之间的金属超材料层，所述金属超材料层包括多个周期设置的超材料单元，使得该发光材料层发射的光透过该金属超材料层从该绝缘透明基底一侧出射，该金属超材料层通过等离子体激元场共振实现对发光材料层发出的光的纳米级起偏，使该发光装置直接发出偏振光。

2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述超材料单元具有手性对称性且各向同性。

3.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述超材料单元具有手性对称性且无各向同性。

4.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述超材料单元无手性对称性且无各向同性。

5.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述超材料单元的厚度为30纳米～100纳米，周期为300纳米～500纳米，线宽为30纳米～40纳米。

6.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述金属超材料层具有多个开口从而使得该绝缘透明基底部分暴露，所述发光材料层部分设置于所述金属超材料层的表面，部分设置于该绝缘透明基底暴露的表面。

7.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述超材料单元为多个周期性设置的凸起，所述发光材料层厚度均匀，且所述发光材料层远离该绝缘透明基底的表面为起伏状。

8.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述金属超材料层的材料为金、银、铜、铁、铝、镍或其合金，所述发光材料层的材料为半导体量子点、染料分子以及荧光粉中的一种或多种。

9.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，进一步包括一设置于该发光材料层远离所述绝缘透明基底的表面的反射层。

10.一种发光装置，其包括：一发光结构，该发光结构包括一受激发光的发光材料层，其特征在于，进一步包括一与该发光材料层之间的距离小于等于100纳米的金属超材料层，所述金属超材料层包括多个周期设置的超材料单元，使得该受激发光的发光材料层发射的光透过该金属超材料层从该金属超材料层远离发光材料层的一侧出射，且所述超材料单元的尺度小于等于所述发光材料层发出光的光波波长，该金属超材料层通过等离子体激元场共振实现对发光材料层发出的光的纳米级起偏，使该发光装置直接发出偏振光。

11.如权利要求10所述的发光装置，其特征在于，所述超材料单元的厚度为30纳米～100纳米，周期为300纳米～500纳米，线宽为30纳米～40纳米。

12.一种显示装置，其包括一发光装置、一导光板以及一液晶面板，其特征在于，所述发光装置为如权利要求1至11所述的发光装置中的一种，且所述导光板和液晶面板层叠设置于该发光装置的金属超材料层远离发光材料层的一侧，该发光材料层发射的光透过该金属超材料层从该金属超材料层远离发光材料层的一侧出射。