[发明专利]高压LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.高压LED芯片，包括衬底以及位于所述衬底表面上彼此相互独立的M个芯片，M≥2，所述每个芯片包括依次生长于所述衬底表面上的N型氮化镓层、发光层及P型氮化镓层，所述N型氮化镓层、发光层及P型氮化镓层构成芯片的外延层，所述每个芯片的P型氮化镓层上形成有反射层；

其特征在于，还包括：

覆盖所述每个芯片的外延层及反射层表面的绝缘层，所述绝缘层沿芯片周边侧壁与衬底贴合；

与第一芯片的反射层电连接的P引线电极；

与第M芯片的N型氮化镓层电连接的N引线电极；

依次将第i芯片的N型氮化镓层和第i+1芯片的反射层进行串联电连接的PN引线连接电极，i＝1，…，M-1，每两个相互串联的芯片的PN引线连接电极彼此相互独立；

平坦化层，所述平坦化层为有机硅胶层，所述有机硅胶层采用固化温度小于200℃、粘度大于400mPa.s的有机硅胶喷涂而成，所述有机硅胶层的厚度为6～10μm，平坦化层覆盖于P引线电极、PN引线连接电极和N引线电极的表面上及P引线电极、PN引线连接电极和N引线电极之间的绝缘层表面上，所述平坦化层沿芯片周边侧壁与绝缘层贴合，每个芯片依次被所述绝缘层和平坦化层完全包裹；

沉积于所述平坦化层上并与所述N引线电极连接的N焊盘；

沉积于所述平坦化层上并与所述P引线电极连接的P焊盘。

2.如权利要求1所述的高压LED芯片，其特征在于：还包括

贯穿所述外延层、露出所述衬底表面的沟槽，所述沟槽将每个芯片相隔离；

贯穿每个芯片的P型氮化镓、发光层直到N型氮化镓层表面的N电极孔；

所述绝缘层填充所述沟槽和N电极孔，每个芯片的绝缘层上形成有与所述反射层表面相连的P型接触孔和与所述N型氮化镓层表面相连的N型接触孔；

所述P引线电极沉积在第一芯片表面的部分绝缘层上及P型接触孔内、通过第一芯片上的P型接触孔与第一芯片的反射层电连接；

所述N引线电极沉积在第M芯片表面的部分绝缘层上及N型接触孔内、通过第M芯片上的N型接触孔与第M芯片的N型氮化镓层电连接；

所述PN引线连接电极沉积在相邻芯片的部分绝缘层上及N型接触孔、P型接触孔内；

所述平坦化层上形成有与第M芯片上的N引线电极表面连接的N引线电极接触孔以及与第一芯片上的P引线电极表面连接的P引线电极接触孔；

所述N焊盘沉积于所述平坦化层上和所述N引线电极接触孔内与所述N引线电极连接；所述P焊盘沉积于所述平坦化层上和所述P引线电极接触孔内与所述P引线电极连接。

3.如权利要求1所述的高压LED芯片，其特征在于：所述绝缘层为氮化铝或二氧化硅或氮化硅或三氧化二铝或布拉格反射层或有机硅胶层。

4.如权利要求1所述的高压LED芯片，其特征在于：所述N焊盘与P焊盘表面上覆盖有锡膏层或共晶焊层。

5.如权利要求4所述的高压LED芯片，其特征在于：所述锡膏层的厚度为50～100um，或者所述共晶焊层的厚度为4～20um。

6.如权利要求4或5所述的高压LED芯片，其特征在于：所述锡膏层由Sn、Ag、Cu组成，其中Sn的质量百分比为96.5，Ag的质量百分比为3.0，余量为Cu。

7.如权利要求1所述的高压LED芯片，其特征在于：所述N焊盘与P焊盘对称分布，所述P焊盘和N焊盘厚度为1um～2um，P焊盘和N焊盘之间间隔≥150um。

8.如权利要求1或7所述的高压LED芯片，其特征在于：所述P焊盘和N焊盘由铝、镍、钛、铂金、金层叠形成。