[发明专利]纳米氧化亚铜基3D打印用半导体材料及其制备方法

权利要求书

1.一种纳米氧化亚铜基3D打印用半导体材料，其特征在于：由下列重量比的原料组成：

纳米氧化亚铜粉                 40~50%，

环氧树脂                        10~20%，

三乙醇胺                        10~20%，

3―氨丙基三甲氧基硅烷           10~20%，

聚乙烯醇                          5~10%，

丙酮                            10~20%。

2.权利要求1所述纳米氧化亚铜基3D打印用半导体材料，其制备方法包括以下步骤： 

1）将重均分子量为5~10万的聚乙烯醇粉碎成100~120目的颗粒；

2）按重量配比称取原料；

3）在氮气氛围下，将环氧树脂与丙酮混合，加入三乙醇胺，室温搅拌15分钟，再依次加入3―氨丙基三甲氧基硅烷、聚乙烯醇颗粒，室温搅拌45分钟，然后加入平均粒径为30纳米的氧化亚铜粉，加热至60~75℃，搅拌30分钟，冷却至室温，得纳米氧化亚铜基3D打印用半导体材料。