[发明专利]低功耗SRAM芯片位线的设计方法及电路结构

权利要求书

1.一种低功耗SRAM芯片位线的设计方法，其特征在于，所述设计方法基于电荷泵技术，包括：

1)SRAM单元位线连接电荷泵电路；

2)在写操作时，先将所述SRAM单元位线上需要泄放电荷收集到所述电荷泵电路中；

3)写操作完成后，利用电荷泵电路获得高电压，将所述电荷泵电路收集到的泄放电荷重新转移到所述SRAM单元位线上。

2.如权利要求1所述的低功耗SRAM芯片位线的设计方法，其特征在于，所述SRAM单元为采用2根位线写入。

3.如权利要求2所述的低功耗SRAM芯片位线的设计方法，其特征在于，所述的电荷泵电路包括若干电容和若干开关，其中

在写操作时，若干电容与一根位线并联，一根位线对电容进行充电；数据写入后，若干电容串联后与一根位线相连，对一根位线完成充电；充电后完成写操作。

4.如权利要求3所述的低功耗SRAM芯片位线的设计方法，其特征在于，所述的电荷泵电路包括：第一电容、第二电容、第三电容、第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、第五开关以及第六开关；其中，所述第一电容的两端与第一节点和第四节点相连，所述第一节点同时接入所述SRAM的位线；所述第二电容的两端与第二节点和第五节点相连；所述第三电容的两端与第三节点和地线相连；所述第一开关的两端与第一节点和第二节点相连；所述第二开关的两端与第二节点和第三节点相连；所述第三开关的两端与第二节点和第四节点相连；所述第四开关的两端与第三节点和第五节点相连；所述第五开关的两端与第四节点和地线相连；所述第六开关的两端与第五节点和地线相连。

5.如权利要求1至4中任意一项所述的低功耗SRAM芯片位线的设计方法，其特征在于，所述SRAM单元为6管基本单元。

6.一种低功耗SRAM芯片位线的电路结构，其特征在于，所述电路结构基于电荷泵技术，包括SRAM单元和与SRAM单元位线连接的电荷泵电路，其中所述的电荷泵电路包括：

第一电容、第二电容、第三电容、第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、第五开关以及第六开关；其中，所述第一电容的两端与第一节点和第四节点相连，所述第一节点同时接入所述SRAM的位线；所述第二电容的两端与第二节点和第五节点相连；所述第三电容的两端与第三节点和地线相连；所述第一开关的两端与第一节点和第二节点相连；所述第二开关的两端与第二节点和第三节点相连；所述第三开关的两端与第二节点和第四节点相连；所述第四开关的两端与第三节点和第五节点相连；所述第五开关的两端与第四节点和地线相连；所述第六开关的两端与第五节点和地线相连。

7.如权利要求6所述的低功耗SRAM芯片位线的电路结构，其特征在于，所述SRAM单元为采用2根位线写入。

8.如权利要求7所述的低功耗SRAM芯片位线的电路结构，其特征在于，在写操作时，第一电容、第二电容和第三电容与一根位线并联，一根位线对电容进行充电；数据写入后，第一电容、第二电容和第三电容串联后与一根位线相连，对一根位线完成充电；充电后完成写操作。

9.如权利要求6所述的低功耗SRAM芯片位线的电路结构，其特征在于，

所述SRAM单元在写操作时，先将所述SRAM单元位线上需要泄放电荷收集到所述电荷泵电路中；

写操作完成后，利用电荷泵电路获得高电压，将所述电荷泵电路收集到的泄放电荷重新转移到所述SRAM单元位线上。

10.如权利要求6至9中任意一项所述的低功耗SRAM芯片位线的电路结构，其特征在于，所述SRAM单元为6管基本单元。