[发明专利]一种指纹识别传感器

权利要求书

1.一种指纹识别传感器，包含：由四个MOS管构成的反相器结构运算放大器OP，其中两个是共源共栅结构MOS管，其特征在于，所述共源共栅结构MOS管的栅极连接辅助运算放大器。

2.根据权利要求1所述的指纹识别传感器，其特征在于，共源共栅结构MOS管中的PMOS管和NMOS管的栅极分别连接第一辅助运算放大器和第二辅助运算放大器；

其中，所述PMOS管的栅极连接所述第一辅助运算放大器的输出端，所述PMOS管的源极连接到所述第一辅助运算放大器的反相输入端，所述第一辅助运算放大器的同相输入端连接PMOS管的输入偏置电压Vbp2；

所述NMOS管的栅极连接所述第二辅助运算放大器的输出端，所述NMOS管的源极连接到所述第二辅助运算放大器的反相输入端，所述第二辅助运算放大器的同相输入端连接NMOS管的输入偏置电压Vbn1。

3.根据权利要求1所述的指纹识别传感器，其特征在于，共源共栅结构MOS管中PMOS管的栅极连接第一辅助运算放大器；

其中，所述PMOS管的栅极连接所述第一辅助运算放大器的输出端，所述PMOS管的源极连接到所述第一辅助运算放大器的反相输入端，所述第一辅助运算放大器的同相输入端连接PMOS管的输入偏置电压Vbp2。

4.根据权利要求1所述的指纹识别传感器，其特征在于，共源共栅结构MOS管中NMOS管的栅极连接第二辅助运算放大器；

其中，所述NMOS管的栅极连接所述第二辅助运算放大器的输出端，所述NMOS管的源极连接到所述第二辅助运算放大器的反相输入端，所述第二辅助运算放大器的同相输入端连接NMOS管的输入偏置电压Vbn1。

5.根据权利要求1所述的指纹识别传感器，其特征在于，所述辅助运算放大器的增益在40～70分贝dB之间。

6.根据权利要求1所述的指纹识别传感器，其特征在于，还包含：反馈电容Cf，所述Cf连接在所述反相器结构OP的输入端与输出端之间。

7.根据权利要求1所述的指纹识别传感器，其特征在于，还包含：第一开关管M7，所述M7的源极连接所述OP的输入端，所述M7的漏极连接所述OP的输出端，复位信号Reset通过反相器inv1连接到M7的栅极。

8.根据权利要求7所述的指纹识别传感器，其特征在于，所述反相器inv1包含一个PMOS管M8和一个NMOS管M9；

所述M8和M9的栅极连接在一起作为反相器的输入端，连接复位信号Reset；M8的漏极与M9的漏极连接在一起作为反相器的输出端，连接M7的栅极；M8的源极连接电源，M9的源极接地。

9.根据权利要求1所述的指纹识别传感器，其特征在于，还包含：输入电容Ci；所述Ci连接在所述指纹识别传感器的输入端Vi与所述OP的输入端之间。

10.根据权利要求1所述的指纹识别传感器，其特征在于，还包含：跟随器M5和第二开关管M6；

所述M5的栅极连接所述OP的输出端，M5的源极连接M6的漏极，M5的漏极连接电源，M6的源极作为所述指纹识别传感器的输出端Vo。