[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201410425331.X | 申请日： | 2014-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN104157576A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 吴亚贞 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括:
提供衬底；
在所述衬底上形成栅极材料层；
使所述栅极材料层的至少一部分转变为金属硅化物层；
在至少部分栅极材料转变为金属硅化物层的步骤之后，刻蚀部分所述栅极材料层以形成栅极。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，使所述栅极材料层的至少一部分转变为金属硅化物层的步骤包括：
在所述栅极材料层的表面形成金属层；
对所述栅极材料层以及所述金属层进行第一热处理，使至少一部分金属层与栅极材料层反应，以形成所述金属硅化物层。
3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，采用第一快速热退火工艺对所述栅极材料层以及所述金属层进行所述第一热处理，并使第一快速热退火工艺的退火温度在600～700摄氏度的范围内。
4.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，在第一热处理的步骤之后，使栅极材料层转变为金属硅化物层的步骤还包括：
在至少部分栅极材料转变为金属硅化物层的步骤之后，进行清洗以去除未反应的金属。
5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，采用NH4OH溶液与H2O2溶液的混合溶液，和H2SO4溶液对所述部分转变为金属硅化物层的栅极材料层进行清洗。
6.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，清洗的步骤之后，使栅极材料层转变为金属硅化物层的步骤还包括：对所述部分转变为金属硅化物层的栅极材料层进行第二热处理。
7.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，第二热处理的步骤包括：采用第二快速热退火工艺对所述部分转变为金属硅化物层的栅极材料层进行第二热处理，并使第二快速热退火工艺的退火温度高于第一快速热退火工艺的退火温度。
8.一种半导体器件，包括衬底以及设于衬底中的源极和漏极，其特征在于，所述半导体器件还包括：
位于衬底上的栅极结构，所述栅极结构包括栅极材料层以及位于所述栅极材料层表面的金属硅化物层，所述金属硅化物层由部分栅极材料层转变得到。
9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述金属硅化物层为二硅化钨或者二硅化钛金属硅化物层。
10.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极材料层的材料为多晶硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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