[发明专利]半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

形成半导体基底，所述半导体基底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面为用于形成半导体器件的功能面；

采用炉管沉积法在所述半导体基底的第一表面和第二表面上形成半导体材料层；

在所述第二表面上的半导体材料层的表面形成拉应力层；

采用平坦化工艺去除所述第一表面部分厚度的半导体材料层之后，去除所述拉应力层和所述第二表面上的半导体材料层。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述拉应力层的厚度为100～200纳米。

3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述拉应力层为氮化硅层。

4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除所述拉应力层的方法为湿法刻蚀工艺。

5.如权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺采用的刻蚀剂为稀释硝酸溶液或是稀释氟化氢溶液。

6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一表面和第二表面上的半导体材料层为多晶硅层。

7.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成半导体基底的步骤包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成浮栅材料层，在所述浮栅材料层上形成掩模层，所述掩模层内形成有开口；

以所述掩模层为掩模刻蚀所述浮栅材料层，在所述浮栅材料层内形成第一凹槽，所述第一凹槽的开口延伸至所述掩模层下方；

在所述掩模内的开口侧壁和第一凹槽的侧壁上形成有第一侧墙；

以所述掩模层和第一侧墙为掩模刻蚀所述第一凹槽底部至露出半导体衬底，以在所述浮栅材料层内形成第二凹槽；

采用炉管沉积法在所述半导体基底的第一表面形成半导体材料层的步骤包括：所述半导体材料层填充满所述第二凹槽和所述掩模层内的开口；

采用平坦化工艺去除所述第一表面部分厚度的半导体材料层的步骤包括：

以所述第一侧墙为停止层，采用平坦化工艺去除所述第一表面部分厚度的半导体材料层，至露出所述第一侧墙。

8.如权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在去除所述拉应力层和所述第二表面上的半导体材料层后，所述半导体器件的形成方法还包括步骤：

去除所述掩模层，并以所述第一侧墙为掩模刻蚀所述浮栅材料层，形成浮栅；

在所述半导体衬底和浮栅的侧壁上形成隧穿介质层；

在所述隧穿介质层上形成覆盖所述浮栅的选择栅材料层；

采用自对准各向异性刻蚀工艺刻蚀所述选择栅材料层至露出所述第一侧墙，从而在所述隧穿介质层表面，形成贴附于所述浮栅的侧壁上的选择栅；在所述选择栅的侧壁形成第三侧墙，并以所述第一侧墙和第三侧墙为掩模向所述半导体衬底内注入离子，在所述选择栅下方形成源极或漏极。

9.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述平坦化工艺为化学机械研磨。

10.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，采用炉管沉积法形成半导体材料层和第二表面上的半导体材料层的步骤包括：

形成掺杂有离子的半导体材料层。