[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底表面形成有若干个栅极结构，且栅极结构侧壁表面形成有侧墙，相邻侧墙之间的衬底表面具有杂质；

将所述衬底置于溅射刻蚀腔室中，对所述相邻侧墙之间的衬底表面进行第一步溅射刻蚀处理，所述第一步溅射刻蚀处理提供第一射频功率以及第一直流偏压，所述第一步溅射刻蚀处理用于第一次去除所述杂质；

对所述相邻侧墙之间的衬底表面进行第二步溅射刻蚀处理，所述第二步溅射刻蚀处理提供第二射频功率以及第二直流偏压，且所述第二射频功率小于第一射频功率，第二直流偏压大于第一直流偏压，所述第二步溅射刻蚀处理用于第二次去除所述杂质。

2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一步溅射刻蚀处理以及第二步溅射刻蚀处理过程中，向溅射刻蚀腔室内提供工作气体，所述工作气体为Ar。

3.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一射频功率和第二射频功率用于形成Ar等离子体束，且在第二射频功率下Ar等离子体束能量小于第一射频功率下Ar等离子体束能量。

4.如权利要求3所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一直流偏压和第二直流偏压用于调整Ar等离子体束的前进方向。

5.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在第一步溅射刻蚀处理过程中，Ar流量为45sccm至55sccm，在第二步溅射刻蚀处理过程中，Ar流量为45sccm至55sccm。

6.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一直流偏压为80V至100V，所述第二直流偏压为110V至130V。

7.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一射频功率包括第一偏置功率以及第一线圈功率，所述第二射频功率包括第二偏置功率以及第二线圈功率，且第一偏置功率为50W至70W，第一线圈功率为280W至320W，第二偏置功率为40W至60W，第二线圈功率为160W至200W。

8.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在进行第一步溅射刻蚀处理之前，还包括步骤：向所述溅射刻蚀腔室内通入工作气体。

9.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在进行第二步溅射刻蚀处理后，还包括步骤：使溅射刻蚀腔室处于直流偏压关闭状态、涓流状态以及抽气状态。

10.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括步骤：在栅极结构两侧的衬底表面形成金属层；对所述金属层进行退火处理，将金属层转化为金属硅化物层。