[发明专利]LDMOS晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种LDMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一掺杂类型；

刻蚀所述半导体衬底，在所述半导体衬底内形成若干第一沟槽；

在若干第一沟槽的侧壁和底部暴露的半导体衬底表面内以及相邻第一沟槽之间的半导体衬底表面内形成漂移区，所述漂移区具有第二掺杂类型，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；

形成漂移区后，在若干第一沟槽中填充隔离材料，形成若干第一浅沟槽隔离结构；

在漂移区一侧的半导体衬底内形成体区，所述体区的掺杂类型与漂移区的掺杂类型相反；

在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构横跨覆盖部分所述体区、漂移区和与体区距离最近的一个第一浅沟槽隔离结构的表面；

在所述栅极结构一侧的体区内形成源区；

在与体区距离最远的一个第一浅沟槽隔离结构一侧的漂移区内形成漏区。

2.如权利要求1所述的LDMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述漂移区的形状为“W”型或“波浪”型，所述漂移区通过第一离子注入形成。

3.如权利要求2所述的LDMOS晶体管的形成方法，其特征在于，位于相邻的第一沟槽之间的半导体衬底表面内和第一沟槽侧壁的半导体衬底内的部分漂移区厚度为200～1000埃，位于第一沟槽底部的半导体衬底内的部分漂移区厚度为400埃～2微米。

4.如权利要求3所述的LDMOS晶体管的形成方法，其特征在于，第一离子注入的剂量为1E2～5E3 atom/cm²、注入的角度为0～45°。

5.如权利要求4所述的LDMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一离子注入后，还包括退火工艺，所述退火工艺的温度为1000～1250摄氏度，退火时间为1～2小时。

6.如权利要求1所述的LDMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一沟槽的侧壁为倾斜侧壁，倾斜侧壁的倾斜角度为50～80°。

7.如权利要求1所述的LDMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一沟槽的数量为≥2个，所述第一沟槽的深度为2500～4500埃，第一沟槽的宽度为0.5～10微米，相邻第一沟槽之间的间距为0.2～1微米。

8.如权利要求1所述的LDMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一掺杂类型为P型，第二掺杂类型为N型。

9.如权利要求1所述的LDMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一掺杂类型为N型，第二掺杂类型为P型。

10.如权利要求1所述的LDMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述漂移区一侧的半导体衬底内还形成有第一掺杂区，所述第一掺杂区的掺杂类型与半导体衬底的掺杂类型相同。

11.如权利要求1所述的LDMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述源区一侧的体区内形成有第二浅沟槽隔离结构，第二浅沟槽隔离结构的深度小于体区的深度；第二浅沟槽隔离结构一侧的体区内还形成有第二掺杂区，第二掺杂区的掺杂类型与体区的掺杂类型相同。

12.如权利要求11所述的LDMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一浅沟槽隔离结构和第二浅沟槽隔离结构的材料为氧化硅。

13.如权利要求1所述的LDMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括位于半导体衬底上的栅介质层、位于栅介质层上的栅电极以及位于栅介质层和栅电极两侧的侧墙。