[发明专利]封装的MEMS器件有效
申请号: | 201410425943.9 | 申请日: | 2014-08-26 |
公开(公告)号: | CN104418291B | 公开(公告)日: | 2017-09-22 |
发明(设计)人: | I·埃舍尔-珀佩尔;E·富尔古特;A·德厄 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | B81B7/02 | 分类号: | B81B7/02;B81C1/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 德国诺伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 mems 器件 | ||
1.一种封装的MEMS器件,包括:
嵌入装置,所述嵌入装置包括模制用料;
嵌入在所述嵌入装置的所述模制用料中的MEMS器件,其中所述MEMS器件包括用于声音换能的膜片,并且其中所述模制用料支撑起所述膜片;
嵌入在所述嵌入装置的所述模制用料中的声音端口,所述声音端口声学耦合至所述MEMS器件;以及
设置在所述声音端口中的格栅。
2.根据权利要求1所述的封装的MEMS器件,其中所述格栅是导电性的。
3.根据权利要求2所述的封装的MEMS器件,其中所述格栅配置为起到电容换能器的背板的作用,所述电容换能器与所述膜片组合。
4.根据权利要求1所述的封装的MEMS器件,其中所述嵌入装置包括主嵌入部分和在所述主嵌入部分的第一表面处的覆盖层,所述MEMS器件嵌入在所述主嵌入部分中。
5.根据权利要求4所述的封装的MEMS器件,其中所述声音端口延伸通过所述覆盖层,以及其中所述格栅在所述声音端口的延伸通过所述覆盖层的部分内。
6.根据权利要求4所述的封装的MEMS器件,其中所述覆盖层包括再分配层。
7.根据权利要求6所述的封装的MEMS器件,其中所述格栅是所述再分配层的一部分。
8.根据权利要求6所述的封装的MEMS器件,其中所述格栅是导电性的,并且所述再分配层与所述格栅电接触。
9.根据权利要求6所述的封装的MEMS器件,其中所述再分配层配置为提供用于所述MEMS器件的至少一个电接触。
10.根据权利要求6所述的封装的MEMS器件,其中所述再分配层配置为提供用于所述MEMS器件、所述MEMS器件的电连接、以及下方再分配层中的至少一个的电磁干扰屏蔽。
11.根据权利要求4所述的封装的MEMS器件,其中所述MEMS器件相对于所述主嵌入部分的第一主表面以及相对的第二主表面凹陷。
12.根据权利要求1所述的封装的MEMS器件,进一步包括:
嵌入至所述嵌入装置中的另一器件;以及
在所述MEMS器件与所述另一器件之间的电连接。
13.根据权利要求1所述的封装的MEMS器件,进一步包括空腔,所述空腔形成于所述嵌入装置内,在所述MEMS器件的与所述声音端口相对的一侧与所述MEMS器件相邻。
14.根据权利要求13所述的封装的MEMS器件,其中所述空腔的截面大体上等于所述MEMS器件的表面。
15.根据权利要求1所述的封装的MEMS器件,其中所述MEMS器件包括衬底剥离型MEMS裸片。
16.根据权利要求1所述的封装的MEMS器件,其中所述声音端口包括开口。
17.根据权利要求1所述的封装的MEMS器件,其中所述声音端口与所述MEMS器件相邻。
18.一种封装的MEMS器件,包括:
嵌入装置,所述嵌入装置包括模制用料;
嵌入在所述嵌入装置的所述模制用料中的MEMS器件,其中所述MEMS器件包括用于声音换能的膜片,并且其中所述模制用料支撑起所述膜片;
设置在所述嵌入装置中的开口,所述开口与所述MEMS器件相邻;以及
位于所述开口内的格栅。
19.一种封装的MEMS器件,包括:
嵌入装置,所述嵌入装置包括模制用料;
嵌入在所述嵌入装置的所述模制用料中的MEMS器件,其中所述MEMS器件包括用于声音换能的膜片,并且其中所述模制用料支撑起所述膜片;
嵌入在所述嵌入装置中的声音端口,所述声音端口声学耦合至所述MEMS器件;以及
跨过所述声音端口的格栅。
20.根据权利要求19所述的封装的MEMS器件,其中所述声音端口包括开口,所述格栅跨过所述开口。
21.根据权利要求19所述的封装的MEMS器件,其中所述声音端口与所述MEMS器件相邻。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司,未经英飞凌科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410425943.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。