[发明专利]凸点下金属层溅射方法有效
| 申请号： | 201410426023.9 | 申请日： | 2014-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN104241102A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 王自台 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 孟阿妮;郭栋梁 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 凸点下 金属 溅射 方法 | ||
1.一种凸点下金属层溅射方法，其特征在于，包括步骤：
将所述晶圆放入溅射蚀刻腔，去除氧化层，并且，在此过程中保持所述晶圆温度小于120℃；
将所述晶圆放入金属溅射腔，溅射凸点下金属层，并且，在此过程中；其中保持所述晶圆温度小于120℃。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
在所述溅射蚀刻腔去除氧化层的过程，以及在所述金属溅射腔溅射凸点下金属层的过程中，所述晶圆的温度为95-105℃。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，
使用冷却水喷洒所述溅射蚀刻腔和所述金属溅射腔的内壁，以降低所述晶圆的温度。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
所述冷却水温度为10℃。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述晶圆放入溅射蚀刻腔前，在所述晶圆上形成保护层，所述保护层上有开口，所述晶圆的铝垫从所述开口露出。
6.根据权利要求5所述方法，其特征在于，
所述保护层为聚酰亚胺保护层。
7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，
所述晶圆在所述溅射蚀刻腔去除氧化层后，将所述晶圆停留在所述溅射蚀刻腔内1-5分钟，然后再进入金属溅射腔。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，
将所述晶圆停留在所述溅射蚀刻腔内2-3分钟，然后再进入金属溅射腔。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，
在形成所述聚酰亚胺保护层时，将聚酰亚胺覆盖所述晶圆，然后依次对所述聚酰亚胺进行曝光、显影、固化和灰化处理，以形成所述聚酰亚胺保护层，并使所述聚酰亚胺保护层具有开口。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
