[发明专利]半导体存储器件和包括半导体存储器件的存储系统

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

存储器单元阵列，其包括沿着行方向和列方向布置的多个单元串，其中所述单元串包括在衬底之上层叠配置的第一多个正常存储器单元、第二多个虚设存储器单元、漏极选择晶体管和源极选择晶体管；

第一多个正常字线，其与所述第一多个正常存储器单元电耦接；以及

第二多个虚设字线，其与所述第二多个虚设存储器单元电耦接，

其中，所述第二多个虚设存储器单元包括：第二多个漏极虚设存储器单元，其经由所述漏极选择晶体管与位线电耦接；以及第二多个源极虚设存储器单元，其经由所述源极选择晶体管与公共源极线电耦接，

其中，所述第一多个正常存储器单元电耦接在所述漏极虚设存储器单元和所述源极虚设存储器单元之间，以及

其中，所述单元串之中的第一单元串中所包括的且与第一正常字线耦接的第一坏的存储器单元被所述第一单元串中所包括的且与第一虚设字线耦接的第一虚设存储器单元代替，并且所述第一单元串中所包括的且与第二正常字线耦接的第二坏的存储器单元被第二单元串中所包括的且与所述第一虚设字线耦接的第二虚设存储器单元代替。

2.如权利要求1所述的器件，其中，所述第一坏的存储器单元和所述第二坏的存储器单元中的至少一个的每个被与所述第一多个正常存储器单元相邻的源极虚设存储器单元代替。

3.如权利要求1所述的器件，还包括外围电路，其被配置成控制所述第一多个正常字线和所述第二多个虚设字线的操作。

4.如权利要求3所述的器件，其中，当执行编程操作时，所述外围电路被配置成将电压施加至与所述第一坏的存储器单元和所述第二坏的存储器单元中的至少一个电耦接的正常字线，所述电压与施加至所述第一多个正常字线之中的未选中的正常字线的电压相同。

5.如权利要求3所述的器件，其中，当执行读取操作时，所述外围电路被配置成将电压施加至与所述第一坏的存储器单元和所述第二坏的存储器单元中的至少一个电耦接的正常字线，所述电压与施加至所述第一多个正常字线之中的未选中的正常字线的电压相同。

6.如权利要求3所述的器件，其中，当执行擦除操作时，所述外围电路被配置成将接地电压施加至与所述第一坏的存储器单元和所述第二坏的存储器单元中的至少一个电耦接的正常字线。

7.一种半导体存储器件，包括：

多个单元串，其分别与多个漏极选择线电耦接，所述多个漏极选择线沿着行方向延伸并且沿着列方向被布置，所述多个单元串中的每个包括在衬底之上层叠配置的第一多个正常存储器单元、第二多个虚设存储器单元、漏极选择晶体管和源极选择晶体管；

第一多个正常字线，其与所述第一多个正常存储器单元电耦接；以及

第二多个虚设字线，其与所述第二多个虚设存储器单元电耦接，

其中，所述第二多个虚设存储器单元包括：第二多个漏极虚设存储器单元，其经由所述漏极选择晶体管与位线电耦接；以及第二多个源极虚设存储器单元，其经由所述源极选择晶体管与公共源极线电耦接，

其中，所述第一多个正常存储器单元电耦接在所述漏极虚设存储器单元和所述源极虚设存储器单元之间，以及

其中，所述单元串之中的第一单元串中所包括的且与第一正常字线耦接的第一坏的存储器单元被所述第一单元串中所包括的且与第一虚设字线耦接的第一虚设存储器单元代替，并且所述第一单元串中所包括的且与第二正常字线耦接的第二坏的存储器单元被第二单元串中所包括的且与所述第一虚设字线耦接的第二虚设存储器单元代替。

8.如权利要求7所述的器件，其中，至少一个坏的存储器单元被包括在所述多个单元串之中的第一单元串中，

所述至少一个坏的存储器单元之中的第一坏的存储器单元被所述第一单元串的虚设存储器单元代替，以及

所述至少一个坏的存储器单元之中的第二坏的存储器单元被所述多个单元串之中的第二单元串的虚设存储器单元代替。