[发明专利]含有低温插入层的铟镓氮/氮化镓多量子阱太阳能电池

权利要求书

1.一种含有低温插入层的铟镓氮/氮化镓多量子阱太阳能电池，包括： 

一衬底； 

一低温成核层，其制作在衬底上，该低温成核层为后续生长氮化镓材料提供成核中心； 

一非故意掺杂氮化镓缓冲层，其制作在低温成核层上； 

一n型掺杂氮化镓层，其制作在非故意掺杂氮化镓缓冲层上； 

一非故意掺杂多量子阱层，其制作在n型掺杂氮化镓层上面的一侧，另一侧的n型掺杂氮化镓层上面形成一台面，该非故意掺杂多量子阱层为铟镓氮太阳能电池的吸收层； 

一p型掺杂氮化镓层，其制作在非故意掺杂多量子阱层上； 

一N型欧姆电极，其制作在n型掺杂氮化镓层上的台面上； 

一P型欧姆电极，其制作在p型掺杂氮化镓层上。 

2.如权利要求1所述的含有低温插入层的铟镓氮/氮化镓多量子阱太阳能电池，其中所述衬底的材料为蓝宝石、碳化硅或氮化镓。 

3.如权利要求1所述的含有低温插入层的铟镓氮/氮化镓多量子阱太阳能电池，其中所述低温成核层的材料为氮化镓或者氮化铝。 

4.如权利要求1所述的含有低温插入层的铟镓氮/氮化镓多量子阱太阳能电池，其中n型掺杂氮化镓层中的自由电子浓度为1×10¹⁷-1×10¹⁹cm^-3。 

5.如权利要求1所述的含有低温插入层的铟镓氮/氮化镓多量子阱太阳能电池，其中非故意掺杂多量子阱层包括5-20个In_xGa_1-xN/GaN周期结构，每个周期由In_xGa_1-xN阱层、低温插入层和GaN垒层构成，其中0＜x≤1。 

6.如权利要求5所述的含有低温插入层的铟镓氮/氮化镓多量子阱太阳能电池，其中In_xGa_1-xN阱层的生长温度为700-800℃，厚度为2-5nm，GaN垒层生长温度为800900℃，厚度为6nm。 

7.如权利要求5所述的含有低温插入层的铟镓氮/氮化镓多量子阱太阳能电池，其中低温插入层的材料是氮化镓或铟镓氮或铝镓氮，其生长温 度与In_xGa_1-xN阱层生长温度相同，厚度为0.5-1.5nm。 

8.如权利要求1所述的含有低温插入层的铟镓氮/氮化镓多量子阱太阳能电池，其中所述p型掺杂氮化镓层的厚度为100-300nm，自由空穴浓度为1×10¹⁷-1×10¹⁹cm^-3。 

9.如权利要求1所述的含有低温插入层的铟镓氮/氮化镓多量子阱太阳能电池，其中所述的N型欧姆电极是点状结构或环形结构。 

10.如权利要求1所述的含有低温插入层的铟镓氮/氮化镓多量子阱太阳能电池，其中所述的P型欧姆电极是点状结构或环形结构。