[发明专利]芯片级封装方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体封装领域，尤其涉及芯片级封装方法。

背景技术

现有技术中，芯片级封装方法一般是在晶圆(晶元Wafer)上先形成介面层，然后再形成凸点下金属层。这种方法还需要对介面层进行蚀刻，形成开口，使铝垫层开口露出，但是蚀刻后的介面层，容易在开口内形成残留，这些残留会直接影响凸点下金属层与铝垫的接触，造成凸点下金属的失效。在实际生产中，会对介面层进行灰化(descum)，以降低残留的影响，但由此造成芯片级封装结构的失效率仍然在30％以上。

晶圆的结构如图7所示，具有铜垫层10’，在铜垫层上形成第一钝化层20’，第一钝化层具有开口，使铜垫层10’从该开口露出，在从开口露出的铜垫层上形成铝垫30’，铝垫上再形成第二钝化层40’，且第二钝化层也具有开口，使铝垫从开口中露出。

发明内容

在下文中给出关于本发明的简要概述，以便提供关于本发明的某些方面的基本理解。应当理解，这个概述并不是关于本发明的穷举性概述。它并不是意图确定本发明的关键或重要部分，也不是意图限定本发明的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。

本发明提供一种芯片级封装方法，包括步骤：在从晶圆的钝化层露出的铝垫上形成凸点下金属层；蚀刻所述凸点下金属层，使所述凸点下金属层与所述钝化层之间蚀刻形成间隙；在所述间隙中形成保护介面层。

在本发明一个实施例中，至少具有如下有益效果：先形成凸点下金属层，蚀刻该凸点下金属层使其与钝化层之间形成间隙，在间隙中形成保护介面层。一方面，因为先形成凸点下金属层，其与铝垫之间不会存在如现有技术中介面层残存的不良影响；另一方面，不必对保护介面层进行灰化，简化了程序。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明芯片级封装方法框图；

图2为本发明方法中，在晶圆上形成凸点下金属层的示意图；

图3为本发明方法中，在凸点下金属层与钝化层之间蚀刻形成间隙的示意图；

图4为在图3的间隙中形成保护介面层的示意图；

图5为对图4中保护介面层进行处理后的示意图；

图6为本发明芯片级封装结构的示意图；

图7为晶圆的结构示意图。

附图标记：

晶圆结构：10’-铜垫层；20’-第一钝化层；30’-铝垫；40’-第二钝化层。

本发明芯片级封装结构：1-凸点下金属层；2-间隙；3-保护介面层；4-焊球。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。在本发明的一个附图或一种实施方式中描述的元素和特征可以与一个或更多个其它附图或实施方式中示出的元素和特征相结合。应当注意，为了清楚的目的，附图和说明中省略了与本发明无关的、本领域普通技术人员已知的部件和处理的表示和描述。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明以下各实施例中，实施例的序号和/或先后顺序仅仅便于描述，不代表实施例的优劣。对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

本发明提供一种芯片级封装方法，参见图1-图5，包括步骤：步骤200，在从晶圆的钝化层露出的铝垫上形成凸点下金属层1(如图2所示)；步骤,300，蚀刻所述凸点下金属层1，使凸点下金属层1与钝化层之间蚀刻形成间隙2(如图3所示)；步骤400，在间隙2中形成保护介面层3(如图4和5所示)。结合图7示出的晶圆，上述间隙2是指凸点下金属层1与第二钝化层40’之间的间隙，为了方便描述，下面在提及凸点下金属层与钝化层之间的间隙，都是指凸点下金属层与第二钝化层之间的间隙。

先形成凸点下金属层1，蚀刻该凸点下金属层1使其与钝化层之间形成间隙2，在间隙2中形成保护介面层3。一方面，因为先形成凸点下金属层1，其与铝垫之间不会存在如现有技术中介面层残存的不良影响；另一方面，不必对保护介面层3进行灰化，简化了程序。