[发明专利]磷化铟切割片化学抛光液及磷化铟切割片的位错测定方法有效
| 申请号： | 201410426888.5 | 申请日： | 2014-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104181026B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 王书杰;孙聂枫;高琳洁;李晓兰;王阳;邵会民;史艳磊;付莉杰;刘新辉;刘惠生;孙同年 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | G01N1/32 | 分类号： | G01N1/32;G01N21/84 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磷化 切割 化学抛光 测定 方法 | ||
1.一种磷化铟切割片化学抛光液，其特征在于：由磷酸、氢溴酸和双氧水组成。
2.根据权利要求1所述的磷化铟切割片化学抛光液，其特征在于：磷酸、氢溴酸和双氧水的体积比为1～3:1～6: 1～4；磷酸质量分数为85%，氢溴酸质量分数为40%，双氧水质量分数为30%。
3.根据权利要求2所述的磷化铟切割片化学抛光液，其特征在于：磷酸、氢溴酸和双氧水的体积比为1～2:2～5:1～2。
4.磷化铟切割片的位错测定方法，其特征在于包括以下步骤：
（1）配制化学抛光液，化学抛光液由磷酸、氢溴酸和双氧水组成；
（2）将磷化铟切割片放入所述抛光液中进行化学抛光腐蚀，化学抛光腐蚀完毕后取出用水清洗干净，干燥；
（3）配制位错腐蚀液：位错腐蚀液由磷酸和氢溴酸组成；
（4）将步骤（2）干燥后的切割片放入位错腐蚀液中腐蚀，腐蚀完成后取出用水清洗，干燥，利用显微镜测定位错密度。
5.根据权利要求4所述的磷化铟切割片的位错测定方法，其特征在于：步骤（1）中磷酸、氢溴酸和双氧水的体积比为1～3:1～6: 1～4；磷酸质量分数为85%，氢溴酸质量分数为40%，双氧水质量分数为30%。
6.根据权利要求5所述的磷化铟切割片的位错测定方法，其特征在于：步骤（1）中磷酸、氢溴酸和双氧水的体积比为1～2:2～5:1～2。
7.根据权利要求4所述的磷化铟切割片的位错测定方法，其特征在于：步骤（2）中的化学抛光腐蚀时间为2～6分钟。
8.根据权利要求4所述的磷化铟切割片的位错测定方法，其特征在于：步骤（3）中磷酸与氢溴酸的体积比为1:2，磷酸质量分数为85%，氢溴酸质量分数为40%。
9.根据权利要求4所述的磷化铟切割片的位错测定方法，其特征在于：步骤（4）中腐蚀时间为3～6分钟。
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