[发明专利]具有异质结构沟道的场效应晶体管

权利要求书

1.一种场效应晶体管(FET)结构，包括：

异质结构，包括：

第一部分、阻挡部分和第二部分，从而使得所述第一部分的一部分、所述阻挡部分和所述第二部分的一部分形成沟道区，并且所述第一部分和所述第二部分中位于所述沟道区的相对两侧的部分分别形成源极区的至少一部分和漏极区的至少一部分，

所述阻挡部分的带隙与每个所述第一部分和所述第二部分的带隙都重叠，和

对于p型场效应晶体管而言，所述阻挡部分相对于每个所述第一部分和所述第二部分都具有正价带偏移，或对于n型场效应晶体管而言，所述阻挡部分相对于每个所述第一部分和所述第二部分都具有正导带偏移；以及

栅极结构，被配置在所述沟道区上方；所述异质结构形成悬置在衬底的表面上方的纳米线结构。

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管结构，其中：

对于p型场效应晶体管而言，

所述阻挡部分由Si_1-xGe_x形成，而

所述第一部分和所述第二部分由Si_1-yGe_y形成，其中，0≦x<y≦1；或

对于n型场效应晶体管而言，

所述阻挡部分由Si_xGe_1-x形成，而

所述第一部分和所述第二部分由Si_yGe_1-y形成，其中，0≦x<y≦1。

3.根据权利要求1所述的场效应晶体管结构，其中：

所述栅极结构围绕所述沟道区。

4.根据权利要求1所述的场效应晶体管结构，其中：

对于p型场效应晶体管而言，

所述阻挡部分由GaAs_1-xSb_x形成，而

所述第一部分和所述第二部分由GaAs_1-ySb_y形成，其中，0≦x<y≦1；或

对于n型场效应晶体管而言，

所述阻挡部分由In_xGa_1-xAs形成，而

所述第一部分和所述第二部分由In_yGa_1-yAs形成，其中，0≦x<y≦1。

5.一种形成半导体结构的方法，包括：

提供第一层；

去除所述第一层的第一部分和第二部分，从而保留位于所述第一部分和所述第二部分之间的阻挡部分；

外延生长第三部分和第四部分以代替所述第一部分和所述第二部分，所述第三部分的一部分、所述阻挡部分和所述第四部分的一部分形成沟道区；

所述阻挡部分的带隙与每个所述第三部分和所述第四部分的带隙都重叠，和

当所述半导体结构是p型场效应晶体管时，所述阻挡部分相对于每个所述第三部分和所述第四部分都具有正价带偏移，或当所述半导体结构是n型场效应晶体管时，所述阻挡部分相对于每个所述第三部分和所述第四部分都具有正导带偏移；以及

在所述第三部分的所述一部分、所述阻挡部分和所述第四部分的所述一部分上方形成栅极结构；

提供所述第一层，包括：形成通过焊盘区悬置在衬底的表面上方的纳米线结构。

6.根据权利要求5所述的方法，其中：

所述纳米线结构包括所述第一层；和

形成围绕所述纳米线结构的一部分的牺牲栅极结构；

去除所述第一层的第一部分和第二部分，包括：

去除所述焊盘区和所述第一层的第一部分和第二部分；以及

在所述第三部分的所述一部分、所述阻挡部分和所述第四部分的所述一部分上方形成栅极结构包括：

形成栅极结构以代替所述牺牲栅极结构。