[发明专利]N型层粗化的LED生长方法有效
| 申请号： | 201410428148.5 | 申请日： | 2014-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104157752B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 黄小辉;马刚;蔡武;周德保;康建;梁旭东 | 申请（专利权）人： | 圆融光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 型层粗化 led 生长 方法 | ||
1.一种N型层粗化的LED生长方法，其特征在于，包括：
在衬底的上表面通入金属源和氨气，通过所述金属源和氨气反应，在所述衬底的上表面形成无定型的缓冲层；
在所述无定型的缓冲层的上表面生长非掺杂层；
在所述非掺杂层的上表面生长重掺杂的N型层，其中，所述重掺杂的N型层的上表面形成V形坑，所述V形坑作为粗化的一种形式存在，其中所述重掺杂的N型层的掺杂浓度在1020的数量级；
采用纵向生长模式保持所述V形坑的形状，在所述重掺杂的N型层的上表面依次生长低掺N型层、量子阱层、P型层，从而形成完整的LED结构。
2.根据权利要求1所述的N型层粗化的LED生长方法，其特征在于：所述衬底的材质为蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃、铜、镍、铬中的任一种。
3.根据权利要求1所述的N型层粗化的LED生长方法，其特征在于：所述N型层粗化的LED生长方法可通过如下任一生长设备实现：
金属有机化学气相沉积MOCVD设备、分子束外延MBE设备或氢化物气相外延HVPE设备。
4.根据权利要求1所述的N型层粗化的LED生长方法，其特征在于：所述重掺杂的N型层的厚度为500～3500nm。
5.根据权利要求1所述的N型层粗化的LED生长方法，其特征在于：所述重掺杂的N型层的上表面形成的V形坑无规则排列。
6.根据权利要求1所述的N型层粗化的LED生长方法，其特征在于：所述纵向生长模式为保持纵向生长速率大于横向生长速率的生长模式。
7.根据权利要求1所述的N型层粗化的LED生长方法，其特征在于：所述重掺杂的N型层中的掺杂物质为如下物质中的至少一种：
硅Si、碳C、铅Pb、氧O、硫S。
8.根据权利要求1所述的N型层粗化的LED生长方法，其特征在于：所述低掺杂的N型层中的掺杂物质为如下物质中的至少一种：
硅Si、碳C、铅Pb、氧O、硫S。
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