[发明专利]一种硅通孔工艺中籽晶层的形成方法有效
| 申请号： | 201410428614.X | 申请日： | 2014-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104183546B | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 胡正军 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅通孔 工艺 籽晶 形成 方法 | ||
1.一种硅通孔工艺中籽晶层的形成方法，采用一具有硅通孔的半导体衬底，其特征在于，还包括：
步骤S01：采用带偏压的物理气相沉积工艺向所述硅通孔中进行第一次籽晶层淀积过程，在所述硅通孔中及其顶部外表面形成第一籽晶层；
步骤S02：对所述第一籽晶层进行回流过程，形成具有光滑表面的第一籽晶层；回流过程中，采用的气体为H2、He、和NH3；
步骤S03：采用带偏压的物理气相沉积工艺向所述硅通孔中进行第二次籽晶层淀积过程，在所述第一籽晶层表面形成第二籽晶层；其中，第二次籽晶层淀积过程采用氩气作为反应气体，直流功率为40-90KW，偏压功率0-500W，淀积时间为10-30sec。
2.根据权利要求1所述的硅通孔工艺中籽晶层的形成方法，其特征在于，所述第一次籽晶层的淀积过程在一反应腔中进行，所述回流过程采用具有静电吸盘的回流腔体，所述步骤S02具体包括：
步骤L01：在真空环境下，将所述完成所述步骤S01的半导体衬底从所述反应腔中转移至所述回流腔体的静电吸盘上；
步骤L02：向所述回流腔体内通入反应气体；
步骤L03：加热并开始进行所述回流过程。
3.根据权利要求2所述的硅通孔工艺中籽晶层的形成方法，其特征在于，所述He从所述静电吸盘中通入到所述回流腔体中。
4.根据权利要求1所述的硅通孔工艺中籽晶层的形成方法，其特征在于，所述He的流量为5-10sccm。
5.根据权利要求1所述的硅通孔工艺中籽晶层的形成方法，其特征在于，所述回流过程中，采用的温度为200-500℃。
6.根据权利要求1所述的硅通孔工艺中籽晶层的形成方法，其特征在于，所述第一次籽晶层淀积过程的淀积时间大于所述第二次籽晶层淀积过程的淀积时间。
7.根据权利要求1所述的硅通孔工艺中籽晶层的形成方法，其特征在于，所述第一次籽晶层淀积过程的参数包括：直流功率为40-90KW，偏压功率500-2000W，淀积时间为10-90sec。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
