[发明专利]一种凹形双电极积成芯片高压陶瓷电容器及制造工艺

权利要求书

1.一种凹形双电极积成芯片高压陶瓷电容器，包括树脂包封层、电极层、瓷介质芯片及引线，其特征在于，整体形状为中心对称的凹碟形，即中心为圆盘形，外部为圆环形，外部圆环形的厚度大于中心圆盘形的厚度，圆环形芯片表面设有外电极，圆盘形芯片表面设有内电极，外电极与内电极为整体的铜电极，内电极与引线焊接，树脂包封层将内、外电极和瓷介质芯片包覆在里面。

2.权利要求1所述的凹形双电极积成芯片高压陶瓷电容器的制造工艺，其特征在于，包括双电极凹形铜电极芯片制作、焊接引线、涂覆、打印及测试；具体工艺步骤如下：

1)双电极凹形铜电极芯片制作：

a、压制成型：采用合金模具进行冲压成型，实现坯片双电极；

b、烧结：隧道窑高温烧结成瓷；

c、化学沉积：化学沉积法在芯片表面实现铜电极全覆盖；

d、无芯磨床磨边：采用无芯磨技术将边缘铜电极磨去，实现电极分离；

2)焊接引线：在芯片凹面内实现内电极与引线的焊接；

3)涂覆：焊接后的产品采用自动粉涂机进行环氧树脂包封料的涂装；

4)打印：打印相应的标识；

5)测试：根据GB/T 14472-1998和IEC 60384-14制定的工厂产品内控测试标准对产品的各项性能进行测试。