[发明专利]双层高K介质结构的制作方法在审
| 申请号： | 201410428663.3 | 申请日： | 2014-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104183474A | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 雷通 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285;H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双层 介质 结构 制作方法 | ||
1.一种双层高K介质结构的制作方法，其特征在于，包括：
步骤S01：提供半导体衬底，其上具有间隔设置的浅沟槽隔离；
步骤S02：使所述半导体衬底循环暴露于铪基化合物以及水蒸气，以形成预定厚度的第一氧化铪层；
步骤S03：使所述第一氧化铪层循环暴露于铪基化合物以及强氧化剂，以形成预定厚度的第二氧化铪层；
步骤S04：在所述第二氧化铪层表面形成金属栅材料层。
2.如权利要求1所述的双层高K介质结构的制作方法，其特征在于，所述强氧化剂包括臭氧或双氧水。
3.如权利要求2所述的双层高K介质结构的制作方法，其特征在于，所述双氧水的质量比溶度为30％-50％。
4.如权利要求1所述的双层高K介质结构的制作方法，其特征在于，所述铪基化合物为TEMAH、[(C2H5)(CH3)N]4或HfCl4。
5.如权利要求1所述的双层高K介质结构的制作方法，其特征在于，所述步骤S02中，通过原子层沉积工艺形成第一氧化铪层。
6.如权利要求5所述的双层高K介质结构的制作方法，其特征在于，所述第一氧化铪层的厚度为
7.如权利要求5所述的双层高K介质结构的制作方法，其特征在于，形成所述第一氧化铪层的环境温度为150℃-400℃。
8.如权利要求1所述的双层高K介质结构的制作方法，其特征在于，所述步骤S03中，通过原子层沉积工艺形成第二氧化铪层。
9.如权利要求8所述的双层高K介质结构的制作方法，其特征在于，形成所述第二氧化铪层的环境温度为150℃-400℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
