[发明专利]一种提高微粒检测能力的方法

权利要求书

1.一种提高微粒检测能力的方法，用于对微粒进行暗场光学缺陷检测，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：提供一半导体硅片，所述硅片表面附着有微粒，所述微粒包括疏松微粒和/或小于暗场光学缺陷检测的最小缺陷检测尺寸的微粒；

步骤二：在所述硅片上沉积一层氮化物薄膜，所述氮化物薄膜将附着在所述硅片表面的所述微粒覆盖并包裹，以放大所述微粒在暗场光学缺陷检测时的检测尺寸至少达到所述最小缺陷检测尺寸，并使微粒表面具有所述氮化物的表面检测形貌；

步骤三：对所述硅片进行针对表面微粒的暗场光学缺陷检测。

2.根据权利要求1所述的提高微粒检测能力的方法，其特征在于，步骤一中，所述微粒中包括尺寸小于60纳米的微粒。

3.根据权利要求1所述的提高微粒检测能力的方法，其特征在于，步骤二中，所述氮化物为金属氮化物、氮化硅、氮氧化硅其中之一。

4.根据权利要求1或3所述的提高微粒检测能力的方法，其特征在于，步骤二中，采用物理气相沉积法、金属有机化合物化学气相沉积法或等离子增强化学气相沉积法沉积所述氮化物薄膜。

5.根据权利要求1或3所述的提高微粒检测能力的方法，其特征在于，步骤二中，所述氮化物的沉积厚度为5～50nm。

6.根据权利要求1所述的提高微粒检测能力的方法，其特征在于，在步骤二和步骤三之间，增加对所述氮化物薄膜进行退火处理。

7.根据权利要求6所述的提高微粒检测能力的方法，其特征在于，对所述氮化物薄膜进行所述退火处理的温度为300～500℃。

8.根据权利要求1所述的提高微粒检测能力的方法，其特征在于，在步骤二和步骤三之间，增加对所述氮化物薄膜进行紫外线固化处理。

9.根据权利要求1所述的提高微粒检测能力的方法，其特征在于，在步骤二和步骤三之间，增加对所述氮化物薄膜进行等离子体轰击处理，反应气体为氮气或惰性气体。

10.根据权利要求9所述的提高微粒检测能力的方法，其特征在于，进行所述等离子体处理时的等离子体射频功率为100～1000瓦，处理腔体的气压为100毫托～10托。