[发明专利]研磨头膜片的缺陷检测方法在审
| 申请号： | 201410428713.8 | 申请日： | 2014-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104308736A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 丁弋;朱也方 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | B24B49/00 | 分类号： | B24B49/00;G01M3/06 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 研磨 膜片 缺陷 检测 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种研磨头膜片的缺陷检测方法，其特征在于，其包括：
步骤S01，提供一CMP用研磨头以及一盛水水槽，该研磨头上具有膜片；
步骤S02，将该研磨头浸入该水槽中，使该膜片完全浸入水中；
步骤S03，向该研磨头中通入气体对该膜片产生正压力，判断该膜片处是否漏气；
步骤S04，若是，则表示膜片上产生了缺陷，需要更换；若否，则表示膜片上无缺陷，可以进行后续研磨工艺。
2.根据权利要求1所述的研磨头膜片的缺陷检测方法，其特征在于：步骤S03包括观察水槽中是否产生气泡来判断是否漏气。
3.根据权利要求1所述的研磨头膜片的缺陷检测方法，其特征在于：步骤S03包括密闭浸入该研磨头的水槽，并通过测压仪测量水槽中的压力变化来判断是否漏气。
4.根据权利要求1至3任一项所述的研磨头膜片的缺陷检测方法，其特征在于：步骤S03中通入气体的压力为0.85-2.1psi。
5.根据权利要求4所述的研磨头膜片的缺陷检测方法，其特征在于：步骤S04还包括通过观察漏气的位置，检查该研磨头所研磨的晶圆背面缺陷或检查该膜片的同批次膜片。
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