[发明专利]单电感正负电压输出装置

权利要求书

1.单电感正负电压输出装置，其特征在于，包括一个电感，所述电感的一端分别连接第一PMOS功率开关管的漏极和第三NMOS功率开关管的漏极，所述电感的另一端分别连接第二NMOS功率开关管的漏极和第四PMOS功率开关管的源极，所述第一PMOS功率开关管、第二NMOS功率开关管、第三NMOS功率开关管和第四PMOS功率开关管的栅极均分别连接驱动电路，所述第一PMOS功率开关管的源极连接电源端，所述第二NMOS功率开关管的源极连接接地端，所述第三NMOS功率开关管的源极连接负电压输出端，所述第四PMOS功率开关管的漏极连接正电压输出端，所述负电压输出端通过负端电容接地，所述正电压输出端通过正端电容接地，所述正电压输出端通过正端反馈电路连接逻辑控制电路，所述负电压输出端通过负端反馈电路连接所述逻辑控制电路，所述逻辑控制电路连接所述驱动电路。

2.根据权利要求1所述的单电感正负电压输出装置，其特征在于，所述正端反馈电路包括第一放大器，所述正电压输出端连接所述第一放大器的负向端，所述第一放大器的正向端连接参考电压端，所述负端反馈电路包括第二放大器，所述负电压输出端连接所述第二放大器的正向端，所述第二放大器的负向端接地，所述第一放大器的输出端和所述第二放大器的输出端分别连接反馈控制电压高低选择电路。

3.根据权利要求2所述的单电感正负电压输出装置，其特征在于，所述反馈控制电压高低选择电路连接第一比较器的负向端以传输较高电压，所述反馈控制电压高低选择电路连接第二比较器的正向端以传输较低电压，所述第一比较器的正向端连接所述第二比较器的负向端，所述反馈控制电压高低选择电路与所述逻辑控制电路连接。

4.根据权利要求3所述的单电感正负电压输出装置，其特征在于，所述第一比较器的输出端连接所述逻辑控制电路以传输主关闭信号，所述第二比较器的输出端连接所述逻辑控制电路以传输辅关闭信号。

5.根据权利要求1所述的单电感正负电压输出装置，其特征在于，所述逻辑控制电路连接振荡器，所述振荡器向所述逻辑控制电路传输时钟信号，所述电源端通过电源端电容连接接地端。

6.根据权利要求1所述的单电感正负电压输出装置，其特征在于，所述逻辑控制电路连接振荡器，所述振荡器通过电压相加器连接电流检测装置，所述电流检测装置连接位于所述第二NMOS功率开关管的漏极处的检测点。

7.根据权利要求6所述的单电感正负电压输出装置，其特征在于，所述电压相加器将所述振荡器产生的斜坡补偿电压和所述电流检测装置得到的采样电压相加后传输到一级缓冲器，所述一级缓冲器分别连接芯片内部恒流源、所述第一比较器的正向端和所述第二比较器的负向端，所述芯片内部恒流源并联一个斜坡电压充电电容。

8.根据权利要求7所述的单电感正负电压输出装置，其特征在于，所述一级缓冲器包括第三放大器，所述第三放大器的正向端连接所述电压相加器，所述第三放大器的输出端连接二极管的正极，所述第三放大器的负向端连接所述二极管的负极，所述二极管的负极连接所述芯片内部恒流源的输入端，所述芯片内部恒流源的输出端接地。

9.根据权利要求1所述的单电感正负电压输出装置，其特征在于，所述正电压输出端通过第一片内分压网络连接所述正端反馈电路，所述负电压输出端通过第二片内分压网络连接所述负端反馈电路。

10.根据权利要求9所述的单电感正负电压输出装置，其特征在于，所述第一片内分压网络包括依次连接的所述正电压输出端、第一电阻、第二电阻和接地端，在第一电阻与第二电阻之间具有节点连接所述第一放大器的负向端，所述第二片内分压网络包括依次连接的所述负电压输出端、第四电阻、第三电阻和参考电压端，在第三电阻与第四电阻之间具有节点连接所述第二放大器的正向端。