[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，包括多个阵列分布的像素单元；每一个所述像素单元包括发光区域和透明区域，且每一个所述像素单元包括：

衬底基板；

形成于所述衬底基板上的TFT薄膜晶体管开关；

依次设置于所述薄膜晶体管开关背离衬底基板一侧的平坦层、第一电极、像素界定层、有机层、以及第二电极；所述第一电极位于所述像素单元的发光区域；其特征在于，所述平坦层和所述像素界定层中的至少一层仅设置在所述像素单元的发光区域内；所述有机层和所述第二电极设置在所述像素单元的发光区域和透明区域；所述像素界定层覆盖所述平坦层的侧壁；

其中，所述薄膜晶体管开关包括：

设置于所述衬底基板上的半导体有源层，所述半导体有源层位于所述像素单元的发光区域内；

设置于所述半导体有源层上的栅绝缘层；

设置于所述栅绝缘层上的栅极，所述栅极位于所述像素单元的发光区域内；

设置于所述栅极上的层间绝缘层；

设置于所述层间绝缘层上的源漏极，所述源漏极位于所述像素单元的发光区域内；

设置于所述源漏极上的钝化层；

所述半导体有源层与所述衬底基板之间还设有缓冲层，且所述缓冲层仅设置在所述像素单元的发光区域。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述平坦层和所述像素界定层仅设置在所述像素单元的发光区域内。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述栅绝缘层仅设置在所述像素单元的发光区域。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述层间绝缘层仅设置在所述像素单元的发光区域。

5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述钝化层仅设置在所述像素单元的发光区域。

6.一种如权利要求1～5任一项所述的有机电致发光器件 的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上制备薄膜晶体管器件；

在薄膜晶体管器件背离所述衬底基板的一侧形成平坦层，并通过构图工艺将位于像素单元的透明区域内的部分去除；

在所述平坦层上形成第一电极层，并通过构图工艺形成第一电极的图形；

在所述第一电极上形成像素界定层，并通过构图工艺形成像素界定层位于像素单元透明区域内的部分去除；

在像素界定层上形成有机层；

在有机层上形成第二电极；

其中，所述在衬底基板上制备薄膜晶体管器件，具体包括：

在衬底基板上形成缓冲层，并通过构图工艺将所述缓冲层位于像素单元的透明区域内的部分去除；

在衬底基板的缓冲层上形成半导体有源层，并通过构图工艺形成半导体有源层的图案，所述半导体有源层位于所述像素单元的发光区域内；

在所述半导体有源层上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成栅极金属层，并通过构图工艺形成栅极的图案，所述栅极位于所述像素单元的发光区域内；

在所述栅极上形成层间绝缘层；

在层间绝缘层上形成源漏极金属层，并通过构图工艺形成源漏极的图案，所述源漏极位于所述像素单元的发光区域内；

在所述源漏极上形成钝化层。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在所述半导体有源层上形成栅绝缘层，具体包括：

在所述半导体有源层上形成栅绝缘层，并通过构图工艺将所述缓冲层位于像素单元的透明区域内的部分去除。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在所述栅极上形成层间绝缘层，具体包括：

在所述栅极上形成层间绝缘层，并通过构图工艺将所述层间绝缘层位于像素单元的透明区域内的部分去除。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在所述源漏极上形成钝化层，具体包括：

在所述源漏极上形成钝化层，并通过构图工艺将所述钝化层位于像素单元的透明区域内的部分去除。