[发明专利]DC/DC转换器有效

专利信息
申请号: 201410429407.6 申请日: 2014-08-27
公开(公告)号: CN104467413B 公开(公告)日: 2017-04-26
发明(设计)人: 中村胜;中村浩章;小西隆幸;一志智绘;中本聪史 申请(专利权)人: 三垦电气株式会社
主分类号: H02M3/155 分类号: H02M3/155
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司11127 代理人: 李辉,金玲
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: dc 转换器
【说明书】:

技术领域

本发明涉及DC/DC转换器。

背景技术

作为生成比输入电压低的稳定的电压的方法,广泛使用了非绝缘型的降压斩波电路。但是,由于在如待机时等那样成为轻载的情况下也继续进行开关动作,因此越是轻载,电源转换效率越下降。

为了解决该问题,提出了如下方法:将误差信号与规定的阈值进行比较来检测轻载,当变为轻载状态时,根据误差信号的脉动对开关晶体管进行导通截止控制,由此反复进行间歇动作,所述误差信号是对输出电压与基准电压进行比较而生成的。

在该控制方式中,越是轻载,开关动作的频率越下降,由此能够减少开关损失,而且还能够减少开关晶体管的栅极驱动电流,因此能够改善效率(专利文献1)。图13示出专利文献1所记载的DC/DC转换器。

图13所示的DC/DC转换器具有振荡器1、SR触发器2、逻辑与电路3、高端驱动器4、驱动REG电路5、防逆流二极管6、自举电容器7、高端MOSFET 8、电感器9、输出电容器10、输出负载11、反馈电阻12、反馈电阻13、误差放大器14、相位补偿电阻15、相位补偿电容器16、PWM比较器17、逆变器18、逻辑或非电路19、低端驱动器20、低端MOSFET 21、过零检测电路22、轻载检测比较器23、恒流源Ibias1和恒流源Ibias2。

接着,参照图14所示的时序图,首先对稳定负载时(Iout>Iskip)的区域动作进行说明。

通过反馈电阻12和反馈电阻13对输出电压Vout进行分压,生成反馈电压FB。反馈电压FB被输入到误差放大器14的反相输入端子,在非反相输入端子中输入基准电压Vref。误差放大器14生成反馈电压FB与基准电压Vref之间的误差放大信号COMP,误差放大信号COMP被输出到PWM比较器17的反相输入端子、和轻载检测比较器23的反相输入端子。在轻载检测比较器23的非反相输入端子中输入轻载检测第1阈值Vsk_Lo,在输出负载电流Iout足够大的情况下,成为COMP>Vsk_Lo。因此,轻载检测比较器23的输出信号SKIP成为低电平,对逆变器电路18的输入而输出低电平的信号。因此,间歇振荡动作成为禁止状态。

在振荡器1上连接有恒流源Ibias2,振荡器1根据恒流源Ibias2而生成置位脉冲,并将置位脉冲输出到PWM锁存器2的置位端子S。

在驱动REG电路5上连接有恒流源Ibias1,驱动REG(稳压)电路5经由低端驱动电路20和防逆流二极管6向高端驱动电路4供给驱动电压。

当PWM锁存器2成为置位状态时,通过逻辑与电路3驱动高端驱动器4,从而使高端MOSFET 8导通。此时,SW端子电压上升到直流电源Vin附近的电压,对应于SW端子与Vout端子的电压差的电流IDH流过电感器9,从而对输出电容器10和输出负载11进行能量供给。

另一方面,在PWM比较器17的非反相输入中输入有与高端MOSFET 8的漏极电流IDH成正比的高端电流检测信号Vtrip。在高端MOSFET 8的导通期间,当高端电流检测信号Vtrip成为误差放大信号COMP以上时,对PWM锁存器2输出复位信号RESET。当PWM锁存器2成为复位状态时,通过逻辑与电路3使高端驱动器4截止,并且通过逻辑或非电路19使低端驱动器20导通。由此,高端MOSFET 8从导通切换为截止,低端MOSFET 21从截止切换为导通,从而将再生电流IDL从低端MOSFET 21的源极通过漏极而提供到电感器9。

在由振荡器1确定的振荡周期的期间内,在进行电感器9的再生没有结束的电流连续动作的情况下,PWM锁存器2再次成为置位状态,低端MOSFET 21截止且高端MOSFET 8导通。

反复进行以上的动作,从而进行降压斩波器动作。接着,参照图14,说明从稳定负载转移到轻负载、并再次转移到稳定负载时的动作。当Iout下降时,误差放大信号COMP下降,因此以高端MOSFET 8的漏极电流IDH的峰值变小的方式进行控制。轻载检测比较器23对误差放大信号COMP与第1轻载检测阈值Vsk_Lo进行比较,在误差放大信号COMP小于第1阈值Vsk_Lo时,将第1阈值Vsk_Lo切换为第2阈值Vsk_Hi,同时将轻载检测信号SKIP从低(low)切换为高(high)。并且,通过逆变器18、逻辑与电路3和高端驱动器4,强制地使高端MOSFET 8截止。之后,当过零检测电路22检测到电感器9的再生期间结束,过零信号ZERO从低切换到高时,通过逻辑或非电路19和低端驱动器20使低端MOSFET 21截止。

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